半导体结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110317915.5

申请日：

2021-03-25

公开(公告)号：

CN115132734B

公开(公告)日：

2025-04-25

发明(设计)人：

邹君玉李志国刘玉丽隋振超刘长宇

申请人：

中芯北方集成电路制造（北京）有限公司

申请人地址：

100176 北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道18号9幢

IPC主分类号：

H10B41/35

IPC分类号：

H10B41/41

代理机构：

上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327

代理人：

高静

法律状态：

授权

国省代码：

安徽省宣城市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-25	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体结构及其形成方法 [P].

邹君玉 ;

李志国 ;

刘玉丽 ;

隋振超 ;

刘长宇 .

中国专利 :CN115132734A ,2022-09-30

[2]

半导体结构及其形成方法 [P].

韩亮 ;

王海英 .

中国专利 :CN111755449A ,2020-10-09

[3]

半导体结构及其形成方法 [P].

司进 ;

殷立强 ;

李凤美 ;

崇二敏 ;

张海洋 .

中国专利 :CN118800774A ,2024-10-18

[4]

半导体结构及其形成方法 [P].

杨列勇 ;

蔡巧明 ;

马丽莎 ;

李洋 .

中国专利 :CN113809008B ,2024-12-13

[5]

半导体结构及其形成方法 [P].

韩秋华 .

中国专利 :CN105826176B ,2016-08-03

[6]

半导体结构及其形成方法 [P].

黄腾 .

中国专利 :CN110660673A ,2020-01-07

[7]

半导体结构及其形成方法 [P].

蔡巧明 ;

王小珊 .

中国专利 :CN113764339A ,2021-12-07

[8]

半导体结构及其形成方法 [P].

谢欣云 .

中国专利 :CN107591398A ,2018-01-16

[9]

半导体结构及其形成方法 [P].

田武 ;

汪宗武 ;

许文山 ;

孙超 .

中国专利 :CN108630535B ,2024-04-02

[10]

半导体结构及其形成方法 [P].

汪涵 ;

杨芸 ;

郑凯 ;

任烨 .

中国专利 :CN113764529A ,2021-12-07

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