半导体结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310403220.8

申请日：

2023-04-14

公开(公告)号：

CN118800774A

公开(公告)日：

2024-10-18

发明(设计)人：

司进殷立强李凤美崇二敏张海洋

申请人：

中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L27/088

IPC分类号：

H01L21/8234

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

徐文欣

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-05	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 27/088申请日:20230414
2024-10-18	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构及其形成方法 [P].

何其旸 .

中国专利 :CN104037084A ,2014-09-10

[2]

半导体结构及其形成方法 [P].

邹君玉 ;

李志国 ;

刘玉丽 ;

隋振超 ;

刘长宇 .

中国专利 :CN115132734A ,2022-09-30

[3]

半导体结构及其形成方法 [P].

田武 ;

汪宗武 ;

许文山 ;

孙超 .

中国专利 :CN108630535B ,2024-04-02

[4]

半导体结构及其形成方法 [P].

邹君玉 ;

李志国 ;

刘玉丽 ;

隋振超 ;

刘长宇 .

中国专利 :CN115132734B ,2025-04-25

[5]

半导体结构及其形成方法 [P].

田武 ;

汪宗武 ;

许文山 ;

孙超 .

中国专利 :CN108630535A ,2018-10-09

[6]

半导体结构及其形成方法 [P].

田武 ;

汪宗武 ;

许文山 ;

孙超 .

中国专利 :CN118299257A ,2024-07-05

[7]

半导体结构的形成方法 [P].

王新鹏 ;

潘晶 ;

王琪 ;

宁先捷 .

中国专利 :CN104425366A ,2015-03-18

[8]

半导体结构及其形成方法 [P].

刘继全 ;

龚春蕾 .

中国专利 :CN107039275B ,2017-08-11

[9]

半导体结构及其形成方法 [P].

杨列勇 ;

蔡巧明 ;

马丽莎 ;

李洋 .

中国专利 :CN113809008B ,2024-12-13

[10]

半导体结构及其形成方法 [P].

赵振阳 .

中国专利 :CN118198108A ,2024-06-14

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