半导体结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810634465.0

申请日：

2018-06-20

公开(公告)号：

CN108630535A

公开(公告)日：

2018-10-09

发明(设计)人：

田武汪宗武许文山孙超

申请人：

申请人地址：

430074 湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L29423

代理机构：

上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294

代理人：

董琳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-11-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20180620
2018-10-09	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构及其形成方法 [P].

田武 ;

汪宗武 ;

许文山 ;

孙超 .

中国专利 :CN108630535B ,2024-04-02

[2]

半导体结构及其形成方法 [P].

田武 ;

汪宗武 ;

许文山 ;

孙超 .

中国专利 :CN118299257A ,2024-07-05

[3]

半导体结构及其形成方法 [P].

王耀庭 ;

许凯 ;

高大为 ;

吴永玉 .

中国专利 :CN119342882B ,2025-12-02

[4]

半导体结构及其形成方法 [P].

夏泽坤 ;

王远 .

中国专利 :CN111192828A ,2020-05-22

[5]

半导体结构及其形成方法 [P].

司进 ;

殷立强 ;

李凤美 ;

崇二敏 ;

张海洋 .

中国专利 :CN118800774A ,2024-10-18

[6]

半导体结构及其形成方法 [P].

王耀庭 ;

许凯 ;

高大为 ;

吴永玉 .

中国专利 :CN119342882A ,2025-01-21

[7]

半导体结构的形成方法 [P].

王新鹏 ;

潘晶 ;

王琪 ;

宁先捷 .

中国专利 :CN104425366A ,2015-03-18

[8]

半导体结构的形成方法 [P].

何其暘 .

中国专利 :CN104425371B ,2015-03-18

[9]

半导体结构及其形成方法 [P].

杨列勇 ;

蔡巧明 ;

马丽莎 ;

李洋 .

中国专利 :CN113809008B ,2024-12-13

[10]

半导体结构及其形成方法 [P].

赵振阳 .

中国专利 :CN118198108A ,2024-06-14

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