共 50 条
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
半导体结构及其形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201811352853.6
申请日：
2018-11-14
公开(公告)号：
CN111192828A
公开(公告)日：
2020-05-22
发明(设计)人：
夏泽坤
王远
申请人：
申请人地址：
300380 天津市西青区西青经济开发区兴华道19号
IPC主分类号：
H01L21336
IPC分类号：
H01L2978
代理机构：
上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327
代理人：
高静;李丽
法律状态：
公开
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2020-05-22 | 公开 | 公开 |
| 2020-06-16 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20181114 |