形成水平纳米线的方法以及由水平纳米线制备的器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711346582.9

申请日：

2017-12-15

公开(公告)号：

CN108242470A

公开(公告)日：

2018-07-03

发明(设计)人：

B·T·单 S·阿米尼 E·卡梅罗托陶铮

申请人：

申请人地址：

比利时勒芬

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336 B82Y3000 B82Y4000

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

王颖;江磊

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-07-03	公开	公开
2019-12-06	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20171215
2018-11-02	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 29/78 变更事项:发明人变更前:B·T·单 S·阿米尼 E·卡梅罗托陶铮变更后:曾文德 S·阿米尼 E·卡梅罗托陶铮

共 50 条

[1]

水平纳米线半导体器件 [P].

K·沃斯汀 ;

H·梅尔腾斯 .

中国专利 :CN108231590A ,2018-06-29

[2]

纳米线、纳米线围栅器件以及纳米孔筛的制备方法 [P].

李俊杰 ;

李永亮 ;

周娜 ;

杨涛 ;

张青竹 ;

王桂磊 ;

李俊峰 ;

吴振华 ;

殷华湘 ;

朱慧珑 ;

王文武 .

中国专利 :CN110164762A ,2019-08-23

[3]

形成纳米线器件的方法 [P].

K·J·库恩 ;

S·金 ;

R·里奥斯 ;

S·M·赛亚 ;

M·D·贾尔斯 ;

A·卡佩尔拉尼 ;

T·拉克什特 ;

P·常 ;

W·瑞驰梅迪 .

中国专利 :CN114242763A ,2022-03-25

[4]

形成纳米线的方法 [P].

杨育佳 ;

布莱戴恩杜瑞兹 ;

马汀克里斯多福荷兰 .

中国专利 :CN106816360A ,2017-06-09

[5]

纳米线以及由其制造的器件 [P].

A·马亚姆达 ;

A·沙科里 ;

T·D·桑德斯 ;

P·杨 ;

S·S·毛 ;

R·E·拉索 ;

H·费克 ;

H·金德 ;

E·R·韦伯 ;

M·黄 ;

H·严 ;

Y·吴 ;

R·范 .

中国专利 :CN1306619C ,2004-06-23

[6]

生长DAAQ水平纳米线阵的方法及纳米线阵和应用 [P].

许金友 ;

陈湘涛 ;

王皓 ;

周国富 .

中国专利 :CN117123447B ,2025-07-04

[7]

纳米线器件和具有纳米线的结构 [P].

胡馨华 ;

A·比布尔 .

中国专利 :CN204680685U ,2015-09-30

[8]

处理银纳米线的方法以及银纳米线 [P].

曾西平 ;

邱志光 ;

温维佳 .

中国专利 :CN106238718A ,2016-12-21

[9]

纳米线、纳米线手术扩张架及由编织的纳米线构成的薄片 [P].

哈立德·莫尔斯 ;

K·S·穆恩 .

中国专利 :CN202369385U ,2012-08-08

[10]

纳米线器件 [P].

马齐德·孟希 ;

赫尔格·韦曼 ;

达萨·L·德赫拉杰 ;

比约恩-奥韦·M·菲姆兰 ;

莱杜尔夫·维根 ;

戴维·巴里埃 .

中国专利 :CN114207778A ,2022-03-18

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