形成纳米线的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611028061.4

申请日：

2016-11-18

公开(公告)号：

CN106816360A

公开(公告)日：

2017-06-09

发明(设计)人：

杨育佳布莱戴恩杜瑞兹马汀克里斯多福荷兰

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

B82Y4000

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

徐金国

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-06-09	公开	公开
2019-07-02	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 21/02 申请公布日:20170609

共 50 条

[1]

纳米线的形成方法 [P].

黄玉莲 ;

李泳达 ;

陈孟谷 .

中国专利 :CN106206246B ,2016-12-07

[2]

形成纳米线内间隔的方法 [P].

陶铮 ;

曾文德 ;

周顺益 .

中国专利 :CN108231591B ,2018-06-29

[3]

形成水平纳米线的方法以及由水平纳米线制备的器件 [P].

B·T·单 ;

S·阿米尼 ;

E·卡梅罗托 ;

陶铮 .

中国专利 :CN108242470A ,2018-07-03

[4]

形成纳米线阵列的方法 [P].

洪培真 ;

徐秋霞 ;

殷华湘 ;

李俊峰 ;

赵超 .

中国专利 :CN105742232A ,2016-07-06

[5]

形成纳米线器件的方法 [P].

K·J·库恩 ;

S·金 ;

R·里奥斯 ;

S·M·赛亚 ;

M·D·贾尔斯 ;

A·卡佩尔拉尼 ;

T·拉克什特 ;

P·常 ;

W·瑞驰梅迪 .

中国专利 :CN114242763A ,2022-03-25

[6]

形成纳米线阵列的方法 [P].

洪培真 ;

徐秋霞 ;

殷华湘 ;

李俊峰 ;

赵超 .

中国专利 :CN105742239A ,2016-07-06

[7]

形成级联纳米线的方法 [P].

洪培真 ;

殷华湘 ;

徐唯佳 ;

马小龙 ;

徐秋霞 ;

李俊峰 ;

赵超 .

中国专利 :CN105742153A ,2016-07-06

[8]

形成纳米线阵列的方法 [P].

洪培真 ;

徐秋霞 ;

殷华湘 ;

李俊峰 ;

赵超 .

中国专利 :CN105742175B ,2016-07-06

[9]

形成纳米线阵列的方法 [P].

洪培真 ;

徐秋霞 ;

殷华湘 ;

李俊峰 ;

赵超 .

中国专利 :CN105742231A ,2016-07-06

[10]

形成包含垂直纳米线的半导体结构的方法 [P].

T·巴尔道夫 ;

S·弗莱克豪斯基 ;

T·赫尔曼 ;

R·伊尔根 .

中国专利 :CN103943563A ,2014-07-23

← 1 2 3 4 5 →