形成纳米线阵列的方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201410766448.4
申请日
2014-12-11
公开(公告)号
CN105742231A
公开(公告)日
2016-07-06
发明(设计)人
洪培真 徐秋霞 殷华湘 李俊峰 赵超
申请人
申请人地址
100029 北京市朝阳区北土城西路3#
IPC主分类号
H01L21768
IPC分类号
B82Y4000
代理机构
北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345
代理人
陈红
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
形成纳米线阵列的方法 [P]. 
洪培真 ;
徐秋霞 ;
殷华湘 ;
李俊峰 ;
赵超 .
中国专利 :CN105742239A ,2016-07-06
[2]
形成纳米线阵列的方法 [P]. 
洪培真 ;
徐秋霞 ;
殷华湘 ;
李俊峰 ;
赵超 .
中国专利 :CN105742175B ,2016-07-06
[3]
形成纳米线阵列的方法 [P]. 
洪培真 ;
徐秋霞 ;
殷华湘 ;
李俊峰 ;
赵超 .
中国专利 :CN105742232A ,2016-07-06
[4]
纳米线阵列的雕刻方法及纳米线阵列 [P]. 
程春 ;
石润 ;
刘世源 ;
陈鹏程 ;
欧阳文开 ;
陈宏 ;
张亮 .
中国专利 :CN107112234A ,2017-08-29
[5]
一种形成有机纳米线阵列的方法及有机纳米线阵列 [P]. 
许金友 ;
赵子豪 ;
王兴宇 ;
廖记辉 ;
张玲玉 ;
宋健 ;
宋佳迅 ;
周国富 .
中国专利 :CN113913744A ,2022-01-11
[6]
形成纳米线阵列的上电极的方法以及具有所形成的上电极的纳米线阵列 [P]. 
李雨 ;
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中国专利 :CN104246912A ,2014-12-24
[7]
制作纳米线阵列的方法 [P]. 
B.A.布蔡恩 ;
F.莫达瓦 ;
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[8]
形成级联纳米线的方法 [P]. 
洪培真 ;
殷华湘 ;
徐唯佳 ;
马小龙 ;
徐秋霞 ;
李俊峰 ;
赵超 .
中国专利 :CN105742153A ,2016-07-06
[9]
纳米线阵列制备方法、纳米线阵列集成器件及其制备方法 [P]. 
李述体 ;
王汝鹏 ;
宋伟东 ;
郭德霄 ;
陈航 ;
李凯 .
中国专利 :CN106082121A ,2016-11-09
[10]
形成纳米线的方法 [P]. 
杨育佳 ;
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中国专利 :CN106816360A ,2017-06-09