形成级联纳米线的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410766446.5

申请日：

2014-12-11

公开(公告)号：

CN105742153A

公开(公告)日：

2016-07-06

发明(设计)人：

洪培真殷华湘徐唯佳马小龙徐秋霞李俊峰赵超

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3#

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L21336 B82Y4000

代理机构：

北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345

代理人：

陈红

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-08-03	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101672625485 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2014107664465 申请日:20141211
2019-09-24	授权	授权
2016-07-06	公开	公开

共 50 条

[1]

形成纳米线阵列的方法 [P].

洪培真 ;

徐秋霞 ;

殷华湘 ;

李俊峰 ;

赵超 .

中国专利 :CN105742175B ,2016-07-06

[2]

形成纳米线阵列的方法 [P].

洪培真 ;

徐秋霞 ;

殷华湘 ;

李俊峰 ;

赵超 .

中国专利 :CN105742232A ,2016-07-06

[3]

形成纳米线阵列的方法 [P].

洪培真 ;

徐秋霞 ;

殷华湘 ;

李俊峰 ;

赵超 .

中国专利 :CN105742239A ,2016-07-06

[4]

形成纳米线阵列的方法 [P].

洪培真 ;

徐秋霞 ;

殷华湘 ;

李俊峰 ;

赵超 .

中国专利 :CN105742231A ,2016-07-06

[5]

形成纳米线的方法 [P].

杨育佳 ;

布莱戴恩杜瑞兹 ;

马汀克里斯多福荷兰 .

中国专利 :CN106816360A ,2017-06-09

[6]

形成纳米线器件的方法 [P].

K·J·库恩 ;

S·金 ;

R·里奥斯 ;

S·M·赛亚 ;

M·D·贾尔斯 ;

A·卡佩尔拉尼 ;

T·拉克什特 ;

P·常 ;

W·瑞驰梅迪 .

中国专利 :CN114242763A ,2022-03-25

[7]

小尺寸硅化物纳米线的制备方法及小尺寸硅化物纳米线 [P].

屈新萍 ;

李冬雪 ;

熊诗圣 .

中国专利 :CN111244031A ,2020-06-05

[8]

纳米线的形成方法 [P].

黄玉莲 ;

李泳达 ;

陈孟谷 .

中国专利 :CN106206246B ,2016-12-07

[9]

半导体纳米线的形成方法 [P].

李艳丽 ;

伍强 ;

杨渝书 .

中国专利 :CN111081534A ,2020-04-28

[10]

半导体纳米线的形成方法 [P].

李艳丽 ;

伍强 ;

杨渝书 .

中国专利 :CN111128723A ,2020-05-08

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