制作纳米线阵列的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200980122085.8

申请日：

2009-04-14

公开(公告)号：

CN102084467A

公开(公告)日：

2011-06-01

发明(设计)人：

B.A.布蔡恩 F.莫达瓦 M.R.布莱克

申请人：

申请人地址：

美国马萨诸塞州

IPC主分类号：

H01L21306

IPC分类号：

H01L21308 B01J2010 B01J2028 H01M438 B81C100 B81B704

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

刘锴;林毅斌

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-06-01	公开	公开
2015-07-22	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101718161554 IPC(主分类):H01L 21/306 专利申请号:2009801220858 申请公布日:20110601
2011-07-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101088327132 IPC(主分类):H01L 21/306 专利申请号:2009801220858 申请日:20090414

共 50 条

[1]

纳米线阵列的雕刻方法及纳米线阵列 [P].

程春 ;

石润 ;

刘世源 ;

陈鹏程 ;

欧阳文开 ;

陈宏 ;

张亮 .

中国专利 :CN107112234A ,2017-08-29

[2]

金属氧化物纳米线阵列的制备方法及其制备的纳米线阵列 [P].

段学欣 ;

刘宇轩 ;

方烨 .

中国专利 :CN111924799A ,2020-11-13

[3]

形成纳米线阵列的方法 [P].

洪培真 ;

徐秋霞 ;

殷华湘 ;

李俊峰 ;

赵超 .

中国专利 :CN105742239A ,2016-07-06

[4]

形成纳米线阵列的方法 [P].

洪培真 ;

徐秋霞 ;

殷华湘 ;

李俊峰 ;

赵超 .

中国专利 :CN105742232A ,2016-07-06

[5]

形成纳米线阵列的方法 [P].

洪培真 ;

徐秋霞 ;

殷华湘 ;

李俊峰 ;

赵超 .

中国专利 :CN105742175B ,2016-07-06

[6]

形成纳米线阵列的方法 [P].

洪培真 ;

徐秋霞 ;

殷华湘 ;

李俊峰 ;

赵超 .

中国专利 :CN105742231A ,2016-07-06

[7]

制备硅纳米线阵列的方法 [P].

陶斯禄 ;

蒋一岚 ;

周春 .

中国专利 :CN102560493B ,2012-07-11

[8]

纳米线阵列制备方法、纳米线阵列集成器件及其制备方法 [P].

李述体 ;

王汝鹏 ;

宋伟东 ;

郭德霄 ;

陈航 ;

李凯 .

中国专利 :CN106082121A ,2016-11-09

[9]

一种形成有机纳米线阵列的方法及有机纳米线阵列 [P].

许金友 ;

赵子豪 ;

王兴宇 ;

廖记辉 ;

张玲玉 ;

宋健 ;

宋佳迅 ;

周国富 .

中国专利 :CN113913744A ,2022-01-11

[10]

纳米线阵列围栅MOSFET结构及其制作方法 [P].

徐秋霞 ;

周娜 ;

李俊峰 ;

洪培真 ;

许高博 ;

孟令款 ;

贺晓彬 ;

陈大鹏 ;

叶甜春 .

中国专利 :CN108364910A ,2018-08-03

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