纳米线阵列围栅MOSFET结构及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810143686.8

申请日：

2018-02-11

公开(公告)号：

CN108364910A

公开(公告)日：

2018-08-03

发明(设计)人：

徐秋霞周娜李俊峰洪培真许高博孟令款贺晓彬陈大鹏叶甜春

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

H01L27092

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

任岩

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-08-03	公开	公开
2018-08-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8238 申请日:20180211
2021-01-15	授权	授权

共 50 条

[1]

多层结构纳米线阵列及其制备方法 [P].

任山 ;

吴起白 ;

许宁生 ;

陈军 .

中国专利 :CN1872660A ,2006-12-06

[2]

纳米线结构及其制作方法 [P].

施学浩 .

中国专利 :CN106033769A ,2016-10-19

[3]

硅纳米线围栅器件的制备方法 [P].

范春晖 ;

周伟 .

中国专利 :CN102142376A ,2011-08-03

[4]

锗纳米点/硅纳米线阵列结构薄膜及其制备方法 [P].

叶敏华 ;

施毅 ;

濮林 ;

徐子敬 ;

张荣 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN101486439A ,2009-07-22

[5]

制作纳米线阵列的方法 [P].

B.A.布蔡恩 ;

F.莫达瓦 ;

M.R.布莱克 .

中国专利 :CN102084467A ,2011-06-01

[6]

硅纳米线波导与光纤耦合结构及其制作方法 [P].

付鑫 ;

杨林 ;

丁建峰 ;

张磊 .

中国专利 :CN107561640A ,2018-01-09

[7]

一种纳米线结构、围栅纳米线器件及其制造方法 [P].

孟令款 ;

闫江 .

中国专利 :CN106558603A ,2017-04-05

[8]

一种纳米线结构、围栅纳米线器件及其制造方法 [P].

孟令款 ;

闫江 .

中国专利 :CN106558489B ,2017-04-05

[9]

Si/NiSi核壳结构纳米线阵列的制备方法 [P].

师文生 ;

刘海龙 ;

佘广为 .

中国专利 :CN102127817B ,2011-07-20

[10]

形成纳米线阵列的方法 [P].

洪培真 ;

徐秋霞 ;

殷华湘 ;

李俊峰 ;

赵超 .

中国专利 :CN105742175B ,2016-07-06

← 1 2 3 4 5 →