锗纳米点/硅纳米线阵列结构薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910024599.1

申请日：

2009-02-23

公开(公告)号：

CN101486439A

公开(公告)日：

2009-07-22

发明(设计)人：

叶敏华施毅濮林徐子敬张荣郑有炓

申请人：

申请人地址：

210093江苏省南京市汉口路22号南京大学物理系

IPC主分类号：

B82B100

IPC分类号：

B82B300

代理机构：

南京众联专利代理有限公司

代理人：

周新亚

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-07-22	公开	公开
2011-01-19	授权	授权
2009-09-16	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

一种硅纳米线阵列及其制备方法 [P].

张利锋 ;

阮欢 ;

胡越 ;

白嘉玺 ;

刘毅 ;

郭守武 .

中国专利 :CN114180577A ,2022-03-15

[2]

硅纳米线阵列的制备方法 [P].

李亚丽 ;

王艳周 ;

栗军帅 .

中国专利 :CN106409653B ,2017-02-15

[3]

硅纳米线阵列的制备方法 [P].

尹明汉 ;

李世宁 .

中国专利 :CN105555705B ,2016-05-04

[4]

制备硅纳米线阵列的方法 [P].

陶斯禄 ;

蒋一岚 ;

周春 .

中国专利 :CN102560493B ,2012-07-11

[5]

一种硅纳米线阵列结构硅薄膜太阳电池及其制备方法 [P].

杨萍 ;

曾湘波 ;

谢小兵 ;

张晓东 ;

李浩 ;

王占国 .

中国专利 :CN103489941A ,2014-01-01

[6]

一种硅纳米线阵列的制备方法 [P].

范春晖 ;

王全 .

中国专利 :CN102945791B ,2013-02-27

[7]

硅纳米线阵列膜电极的制备方法 [P].

黄睿 ;

朱静 .

中国专利 :CN101719543B ,2010-06-02

[8]

有序硅纳米线阵列的制备方法 [P].

吴摞 ;

叶长辉 .

中国专利 :CN102642807A ,2012-08-22

[9]

一种利用硅纳米线模板制备银纳米棒阵列结构材料的方法 [P].

白帆 ;

胡赠彬 ;

他德洪 ;

苏海涛 ;

黄蓁 ;

潘媛 ;

黄韵婷 ;

孔涛 .

中国专利 :CN110294456A ,2019-10-01

[10]

光滑表面硅纳米线阵列的制备方法 [P].

沈文忠 ;

谢卫强 .

中国专利 :CN102126724A ,2011-07-20

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