一种硅纳米线阵列结构硅薄膜太阳电池及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310459476.7

申请日：

2013-09-25

公开(公告)号：

CN103489941A

公开(公告)日：

2014-01-01

发明(设计)人：

杨萍曾湘波谢小兵张晓东李浩王占国

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01L310352

IPC分类号：

H01L3104 H01L3118 B82Y4000

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

宋焰琴

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-06-08	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101733597850 IPC(主分类):H01L 31/0352 专利申请号:2013104594767 申请公布日:20140101
2014-01-01	公开	公开
2014-02-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101567144919 IPC(主分类):H01L 31/0352 专利申请号:2013104594767 申请日:20130925

共 50 条

[1]

一种硅纳米线/硅薄膜异质结太阳电池及其制备方法 [P].

张化宇 ;

刘益林 ;

汪桂根 ;

吴博文 ;

安小帅 ;

张岙 .

中国专利 :CN109119513A ,2019-01-01

[2]

一种基于硅纳米线阵列的半透明太阳电池及其制备方法 [P].

李英峰 ;

王子轩 ;

高天 ;

彭彪 ;

王超 ;

张来豫 ;

高中亮 ;

李美成 .

中国专利 :CN118284065A ,2024-07-02

[3]

一种硅薄膜太阳电池及其制备方法 [P].

羊亿 ;

罗云荣 .

中国专利 :CN101609852A ,2009-12-23

[4]

柔性基底硅纳米线异质结太阳电池的制备方法 [P].

丁建宁 ;

李坤堂 ;

袁宁一 ;

陆鹏飞 ;

房香 ;

柏丽 .

中国专利 :CN103681965A ,2014-03-26

[5]

锗纳米点/硅纳米线阵列结构薄膜及其制备方法 [P].

叶敏华 ;

施毅 ;

濮林 ;

徐子敬 ;

张荣 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN101486439A ,2009-07-22

[6]

一种硅薄膜太阳电池 [P].

罗云荣 ;

羊亿 .

中国专利 :CN202651132U ,2013-01-02

[7]

一种具有横向输运特性的纳米线晶硅太阳电池的制备方法 [P].

高斐 ;

杨勇洲 ;

贾锐 .

中国专利 :CN103872182B ,2014-06-18

[8]

硅薄膜太阳电池用P型窗口层及其制备方法 [P].

赵颖 ;

张晓丹 ;

耿新华 ;

魏长春 ;

薛俊明 ;

侯国付 ;

仁慧志 ;

张德坤 ;

孙建 ;

张建军 ;

熊绍珍 .

中国专利 :CN1277318C ,2005-11-16

[9]

表面分布有掺杂ZnO纳米线的硅基薄膜太阳电池 [P].

杨志 ;

黄达 ;

李忠丽 ;

刘一剑 ;

张亚非 .

中国专利 :CN103681888B ,2014-03-26

[10]

硅薄膜太阳电池集成组件及其制备技术 [P].

赵颖 ;

耿新华 ;

张晓丹 ;

魏长春 ;

薛俊明 ;

仁慧志 ;

张德坤 ;

孙建 ;

侯国付 ;

张建军 ;

熊绍珍 .

中国专利 :CN1710723A ,2005-12-21

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