多层结构纳米线阵列及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610035749.5

申请日：

2006-06-01

公开(公告)号：

CN1872660A

公开(公告)日：

2006-12-06

发明(设计)人：

任山吴起白许宁生陈军

申请人：

申请人地址：

510275广东省广州市海珠区新港西路135号

IPC主分类号：

B82B100

IPC分类号：

B82B300

代理机构：

广州市华学知识产权代理有限公司

代理人：

陈燕娴

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-12-06	公开	公开
2015-07-22	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101617846542 IPC(主分类):B82B 1/00 专利号:ZL2006100357495 申请日:20060601 授权公告日:20100623 终止日期:20140601
2010-06-23	授权	授权
2007-01-31	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

纳米线阵列器件及其制备方法和应用 [P].

张运炎 ;

查超飞 ;

张林君 ;

尚复祥 ;

程志渊 .

中国专利 :CN117894869A ,2024-04-16

[2]

纳米线阵列制备方法、纳米线阵列集成器件及其制备方法 [P].

李述体 ;

王汝鹏 ;

宋伟东 ;

郭德霄 ;

陈航 ;

李凯 .

中国专利 :CN106082121A ,2016-11-09

[3]

纳米线阵列围栅MOSFET结构及其制作方法 [P].

徐秋霞 ;

周娜 ;

李俊峰 ;

洪培真 ;

许高博 ;

孟令款 ;

贺晓彬 ;

陈大鹏 ;

叶甜春 .

中国专利 :CN108364910A ,2018-08-03

[4]

一种梯度直径钴铜多层纳米线及其制备方法 [P].

胡军 ;

范诗佳 ;

温慧敏 .

中国专利 :CN113957481A ,2022-01-21

[5]

纳米线阵列器件及其制备方法 [P].

张栖瑜 ;

张舒 ;

马恒 ;

司静 .

中国专利 :CN118866965A ,2024-10-29

[6]

Si/NiSi核壳结构纳米线阵列的制备方法 [P].

师文生 ;

刘海龙 ;

佘广为 .

中国专利 :CN102127817B ,2011-07-20

[7]

金属折点纳米线阵列的制备方法及其金属折点纳米线阵列 [P].

陈云 ;

陈新 ;

麦锡全 ;

刘强 ;

高健 ;

高波 .

中国专利 :CN107777659A ,2018-03-09

[8]

铜铟硒纳米线阵列及其制备方法与应用 [P].

朱长飞 ;

张中伟 ;

刘伟丰 .

中国专利 :CN101700871A ,2010-05-05

[9]

一种氧化镓纳米线阵列及其制备方法 [P].

陈烈裕 ;

钱银平 ;

王坤 ;

李小云 ;

王顺利 ;

李培刚 .

中国专利 :CN105826362A ,2016-08-03

[10]

纳米线电极结构及其制备方法 [P].

武青青 ;

朱建军 ;

林威豪 .

中国专利 :CN112582590B ,2021-03-30

← 1 2 3 4 5 →