一种氧化镓纳米线阵列及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201610143013.3
申请日
2016-03-13
公开(公告)号
CN105826362A
公开(公告)日
2016-08-03
发明(设计)人
陈烈裕 钱银平 王坤 李小云 王顺利 李培刚
申请人
申请人地址
310018 浙江省杭州市下沙白杨街道2号大街5号
IPC主分类号
H01L2924
IPC分类号
H01L2102 C23C1435 C23C1416 C23C1408 B82Y3000 B82Y4000
代理机构
杭州求是专利事务所有限公司 33200
代理人
郑海峰
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
一种基于氧化镓纳米线阵列的紫外探测器件及其制备方法 [P]. 
金旺康 .
中国专利 :CN105655434B ,2016-06-08
[2]
一种β-氧化镓纳米线阵列薄膜及其制备方法 [P]. 
陈星 ;
刘可为 ;
李炳辉 ;
张振中 ;
王潇 ;
杨佳霖 ;
申德振 .
中国专利 :CN105826433A ,2016-08-03
[3]
一种氧化镓纳米线及其制备方法和应用 [P]. 
马淑芳 ;
刘松 ;
黄鑫 ;
许并社 ;
黄彪 ;
李磊 ;
徐超明 ;
欧阳辉灿 .
中国专利 :CN113652670A ,2021-11-16
[4]
一种氧化镓纳米线的制备方法 [P]. 
王海燕 ;
秦彬皓 ;
余陈 ;
张宇鹏 ;
赵晶晶 ;
刘丽华 .
中国专利 :CN114015991A ,2022-02-08
[5]
一种α-羟基氧化镓纳米线、α-三氧化二镓纳米线晶体材料及其制备方法和应用 [P]. 
滕越 ;
聂元弘 ;
吴自强 ;
王缔 ;
张红 ;
谢恒 ;
励刚 ;
陈国宏 ;
徐斌 ;
刘鑫 ;
汤伟 ;
丁津津 ;
夏鹏 ;
谢毓广 .
中国专利 :CN118684262A ,2024-09-24
[6]
砷化镓纳米线阵列及其制备方法 [P]. 
李新化 ;
史同飞 ;
刘敏 ;
周步康 ;
马文霞 ;
王玉琦 .
中国专利 :CN104445057A ,2015-03-25
[7]
垂直型β氧化镓纳米线阵列的外延方法 [P]. 
李军帅 ;
张晓东 ;
张宝顺 ;
曹旭 .
中国专利 :CN112210768A ,2021-01-12
[8]
基于金纳米粒子增强氧化镓薄膜的紫外探测器件及其制备方法 [P]. 
郑宇徽 ;
朱为康 ;
王顺利 ;
李小云 ;
李培刚 .
中国专利 :CN105552160A ,2016-05-04
[9]
多层结构纳米线阵列及其制备方法 [P]. 
任山 ;
吴起白 ;
许宁生 ;
陈军 .
中国专利 :CN1872660A ,2006-12-06
[10]
一种氧化镓纳米线阵列型日盲光电探测器及其制备方法 [P]. 
贾志泰 ;
张洁 ;
钟宇 ;
陶绪堂 .
中国专利 :CN120730873A ,2025-09-30