一种α-羟基氧化镓纳米线、α-三氧化二镓纳米线晶体材料及其制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410719815.9

申请日：

2024-06-05

公开(公告)号：

CN118684262A

公开(公告)日：

2024-09-24

发明(设计)人：

滕越聂元弘吴自强王缔张红谢恒励刚陈国宏徐斌刘鑫汤伟丁津津夏鹏谢毓广

申请人：

国网安徽省电力有限公司电力科学研究院

申请人地址：

230000 安徽省合肥市紫云路299号

IPC主分类号：

C01G15/00

IPC分类号：

H01M10/0525 H01M8/1011 B82Y40/00 B82Y30/00 B82Y15/00 H01L31/108 H01L31/09 H01L27/146 H01G9/20 B01J23/08 B01J35/58 B01J35/39

代理机构：

北京高沃律师事务所 11569

代理人：

王苗苗

法律状态：

公开

国省代码：

安徽省

引用

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共 50 条

[1]

一种氧化镓纳米线及其制备方法和应用 [P].

马淑芳 ;

刘松 ;

黄鑫 ;

许并社 ;

黄彪 ;

李磊 ;

徐超明 ;

欧阳辉灿 .

中国专利 :CN113652670A ,2021-11-16

[2]

一种氧化镓纳米线阵列及其制备方法 [P].

陈烈裕 ;

钱银平 ;

王坤 ;

李小云 ;

王顺利 ;

李培刚 .

中国专利 :CN105826362A ,2016-08-03

[3]

一种氧化镓纳米线的制备方法 [P].

王海燕 ;

秦彬皓 ;

余陈 ;

张宇鹏 ;

赵晶晶 ;

刘丽华 .

中国专利 :CN114015991A ,2022-02-08

[4]

一种β-氧化镓纳米线阵列薄膜及其制备方法 [P].

陈星 ;

刘可为 ;

李炳辉 ;

张振中 ;

王潇 ;

杨佳霖 ;

申德振 .

中国专利 :CN105826433A ,2016-08-03

[5]

一种管状氧化镓纳米材料及其制备方法和应用 [P].

任海波 ;

翁怀鹏 ;

孟春雨 ;

孙宇峰 .

中国专利 :CN113830820B ,2021-12-24

[6]

一种无催化剂制备氧化镓纳米线的方法 [P].

王如志 ;

张京阳 ;

郭泽宁 ;

范靖霖 .

中国专利 :CN119569105A ,2025-03-07

[7]

一种羟基氧化镓纳米晶体的制备方法 [P].

张剑 ;

史立慧 ;

吴思 ;

崔啟良 .

中国专利 :CN102976393A ,2013-03-20

[8]

一种羟基氧化镓纳米晶体的制备方法 [P].

张剑 ;

史立慧 ;

吴思 .

中国专利 :CN102786078A ,2012-11-21

[9]

一种亚纳米尺寸氧化镓纳米线的制备方法 [P].

白欣 ;

李冬 ;

元宁宁 ;

姚德翠 .

中国专利 :CN116443919B ,2025-07-29

[10]

一种氧化镓纳米材料及其制备方法和应用 [P].

马国芝 ;

杨雯翔 ;

符胤 ;

杨曼 ;

袁澳 .

中国专利 :CN114436322A ,2022-05-06

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-09-24	公开	公开
2024-10-15	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C01G 15/00申请日:20240605