一种氧化镓纳米线的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111195016.9

申请日：

2021-10-13

公开(公告)号：

CN114015991A

公开(公告)日：

2022-02-08

发明(设计)人：

王海燕秦彬皓余陈张宇鹏赵晶晶刘丽华

申请人：

申请人地址：

510000 广东省广州市天河区长兴路363号

IPC主分类号：

C23C1435

IPC分类号：

C23C1408 C23C1458 C23C1454 C23C1402 C01G1500 B82Y3000 B82Y4000

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司 44202

代理人：

颜希文;郝传鑫

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-02-08	公开	公开
2022-02-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/35 申请日:20211013

共 50 条

[1]

一种无催化剂制备氧化镓纳米线的方法 [P].

王如志 ;

张京阳 ;

郭泽宁 ;

范靖霖 .

中国专利 :CN119569105A ,2025-03-07

[2]

一种氧化镓纳米线阵列及其制备方法 [P].

陈烈裕 ;

钱银平 ;

王坤 ;

李小云 ;

王顺利 ;

李培刚 .

中国专利 :CN105826362A ,2016-08-03

[3]

一种亚纳米尺寸氧化镓纳米线的制备方法 [P].

白欣 ;

李冬 ;

元宁宁 ;

姚德翠 .

中国专利 :CN116443919B ,2025-07-29

[4]

一种利用低浓度臭氧氛围制备氧化镓纳米线的方法 [P].

黄辉 ;

卢寅梅 ;

向烈浩 ;

李昊勃 ;

王一鸣 ;

鄢文亮 ;

秦华垚 ;

许明耀 .

中国专利 :CN120400987A ,2025-08-01

[5]

一种β-氧化镓纳米线阵列薄膜及其制备方法 [P].

陈星 ;

刘可为 ;

李炳辉 ;

张振中 ;

王潇 ;

杨佳霖 ;

申德振 .

中国专利 :CN105826433A ,2016-08-03

[6]

一种α-羟基氧化镓纳米线、α-三氧化二镓纳米线晶体材料及其制备方法和应用 [P].

滕越 ;

聂元弘 ;

吴自强 ;

王缔 ;

张红 ;

谢恒 ;

励刚 ;

陈国宏 ;

徐斌 ;

刘鑫 ;

汤伟 ;

丁津津 ;

夏鹏 ;

谢毓广 .

中国专利 :CN118684262A ,2024-09-24

[7]

一种氧化镓纳米线及其制备方法和应用 [P].

马淑芳 ;

刘松 ;

黄鑫 ;

许并社 ;

黄彪 ;

李磊 ;

徐超明 ;

欧阳辉灿 .

中国专利 :CN113652670A ,2021-11-16

[8]

一种氮化镓纳米线及其制备方法 [P].

杨蓉 ;

张营 ;

王琛 .

中国专利 :CN103387213A ,2013-11-13

[9]

垂直型β氧化镓纳米线阵列的外延方法 [P].

李军帅 ;

张晓东 ;

张宝顺 ;

曹旭 .

中国专利 :CN112210768A ,2021-01-12

[10]

一种氮化镓纳米线的制备方法 [P].

郑学军 ;

程宏斌 ;

李佳 ;

吴东旭 ;

罗晓菊 .

中国专利 :CN104313548A ,2015-01-28

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