一种亚纳米尺寸氧化镓纳米线的制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202310364810.4
申请日
2023-04-07
公开(公告)号
CN116443919B
公开(公告)日
2025-07-29
发明(设计)人
白欣 李冬 元宁宁 姚德翠
申请人
邯郸学院
申请人地址
056005 河北省邯郸市邯山区学院北路530号
IPC主分类号
C01G15/00
IPC分类号
B82Y40/00
代理机构
石家庄冀科专利商标事务所有限公司 13108
代理人
赵红强
法律状态
专利实施许可合同备案的生效、变更及注销
国省代码
河北省 邯郸市
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共 50 条
[1]
一种氧化镓纳米线的制备方法 [P]. 
王海燕 ;
秦彬皓 ;
余陈 ;
张宇鹏 ;
赵晶晶 ;
刘丽华 .
中国专利 :CN114015991A ,2022-02-08
[2]
一种β-氧化镓纳米线阵列薄膜及其制备方法 [P]. 
陈星 ;
刘可为 ;
李炳辉 ;
张振中 ;
王潇 ;
杨佳霖 ;
申德振 .
中国专利 :CN105826433A ,2016-08-03
[3]
一种α-羟基氧化镓纳米线、α-三氧化二镓纳米线晶体材料及其制备方法和应用 [P]. 
滕越 ;
聂元弘 ;
吴自强 ;
王缔 ;
张红 ;
谢恒 ;
励刚 ;
陈国宏 ;
徐斌 ;
刘鑫 ;
汤伟 ;
丁津津 ;
夏鹏 ;
谢毓广 .
中国专利 :CN118684262A ,2024-09-24
[4]
一种氧化镓纳米线及其制备方法和应用 [P]. 
马淑芳 ;
刘松 ;
黄鑫 ;
许并社 ;
黄彪 ;
李磊 ;
徐超明 ;
欧阳辉灿 .
中国专利 :CN113652670A ,2021-11-16
[5]
一种氧化镓纳米线阵列及其制备方法 [P]. 
陈烈裕 ;
钱银平 ;
王坤 ;
李小云 ;
王顺利 ;
李培刚 .
中国专利 :CN105826362A ,2016-08-03
[6]
一种无催化剂制备氧化镓纳米线的方法 [P]. 
王如志 ;
张京阳 ;
郭泽宁 ;
范靖霖 .
中国专利 :CN119569105A ,2025-03-07
[7]
一种利用低浓度臭氧氛围制备氧化镓纳米线的方法 [P]. 
黄辉 ;
卢寅梅 ;
向烈浩 ;
李昊勃 ;
王一鸣 ;
鄢文亮 ;
秦华垚 ;
许明耀 .
中国专利 :CN120400987A ,2025-08-01
[8]
一种大尺寸单晶氧化镓纳米片的制备方法 [P]. 
方志来 ;
吴征远 ;
蒋卓汛 .
中国专利 :CN109056057B ,2018-12-21
[9]
一种大尺寸单晶β-氧化镓纳米带的制备方法 [P]. 
方志来 ;
蒋卓汛 ;
吴征远 ;
闫春辉 ;
张国旗 .
中国专利 :CN109881246B ,2019-06-14
[10]
一种氮化镓纳米线及其制备方法 [P]. 
杨蓉 ;
张营 ;
王琛 .
中国专利 :CN103387213A ,2013-11-13