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一种大尺寸单晶β-氧化镓纳米带的制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201910261513.0
申请日
:
2019-04-02
公开(公告)号
:
CN109881246B
公开(公告)日
:
2019-06-14
发明(设计)人
:
方志来
蒋卓汛
吴征远
闫春辉
张国旗
申请人
:
申请人地址
:
518051 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1088号台州楼
IPC主分类号
:
C30B2502
IPC分类号
:
C30B2916
C30B2964
C30B3302
C23C1640
B82Y3000
B82Y4000
代理机构
:
北京中知法苑知识产权代理有限公司 11226
代理人
:
李明
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-09-22
授权
授权
2019-07-09
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 25/02 申请日:20190402
2019-06-14
公开
公开
共 50 条
[1]
一种大尺寸单晶氧化镓纳米片的制备方法
[P].
方志来
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方志来
;
吴征远
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吴征远
;
蒋卓汛
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蒋卓汛
.
中国专利
:CN109056057B
,2018-12-21
[2]
一种单晶β-氧化镓纳米片的制备方法
[P].
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机构:
康黎星
;
刘帅
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机构:
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
刘帅
;
张蓉
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机构:
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
张蓉
;
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机构:
李清文
.
中国专利
:CN116024545B
,2025-09-09
[3]
一种氮掺杂氧化镓薄膜结构及其制备方法
[P].
方志来
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方志来
;
蒋卓汛
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蒋卓汛
;
闫春辉
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闫春辉
;
吴征远
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吴征远
;
张国旗
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张国旗
.
中国专利
:CN110350028B
,2019-10-18
[4]
氧化镓单晶制备方法
[P].
张胜男
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机构:
中国电子科技集团公司第四十六研究所
中国电子科技集团公司第四十六研究所
张胜男
;
霍晓青
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机构:
中国电子科技集团公司第四十六研究所
中国电子科技集团公司第四十六研究所
霍晓青
;
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机构:
王英民
;
王喆垚
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中国电子科技集团公司第四十六研究所
中国电子科技集团公司第四十六研究所
王喆垚
;
周金杰
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机构:
中国电子科技集团公司第四十六研究所
中国电子科技集团公司第四十六研究所
周金杰
;
董增印
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中国电子科技集团公司第四十六研究所
中国电子科技集团公司第四十六研究所
董增印
;
李晖
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中国电子科技集团公司第四十六研究所
中国电子科技集团公司第四十六研究所
李晖
;
张嵩
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中国电子科技集团公司第四十六研究所
中国电子科技集团公司第四十六研究所
张嵩
;
程红娟
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机构:
中国电子科技集团公司第四十六研究所
中国电子科技集团公司第四十六研究所
程红娟
.
中国专利
:CN119221101A
,2024-12-31
[5]
一种制备大尺寸单晶的方法
[P].
王书杰
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王书杰
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孙聂枫
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孙聂枫
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史艳磊
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史艳磊
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邵会民
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邵会民
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李晓岚
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李晓岚
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王阳
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王阳
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付莉杰
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付莉杰
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徐森锋
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徐森锋
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姜剑
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姜剑
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刘惠生
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刘惠生
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孙同年
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孙同年
.
中国专利
:CN111270314A
,2020-06-12
[6]
可转移的大尺寸氧化镓薄膜的制备方法
[P].
宁静
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宁静
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张雨轩
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张雨轩
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冯倩
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冯倩
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张进成
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张进成
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王东
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王东
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焦鹏
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焦鹏
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马佩军
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马佩军
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郝跃
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郝跃
.
中国专利
:CN113969423A
,2022-01-25
[7]
一种利用液态金属镓制备大尺寸二维晶态氮化镓的方法
[P].
张骐
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张骐
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呼布钦
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呼布钦
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李馨
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李馨
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徐旻轩
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徐旻轩
.
中国专利
:CN115142134A
,2022-10-04
[8]
一种无催化剂制备氧化镓纳米线的方法
[P].
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机构:
王如志
;
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机构:
张京阳
;
郭泽宁
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机构:
北京工业大学
北京工业大学
郭泽宁
;
范靖霖
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机构:
北京工业大学
北京工业大学
范靖霖
.
中国专利
:CN119569105A
,2025-03-07
[9]
一种大尺寸氧化镓单晶的生长设备及方法
[P].
王东海
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王东海
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徐军
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徐军
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唐慧丽
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唐慧丽
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罗平
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罗平
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何诺天
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何诺天
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郭超
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郭超
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李秋
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李秋
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王庆国
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王庆国
.
中国专利
:CN107541776A
,2018-01-05
[10]
一种制备大尺寸单晶的装置
[P].
王书杰
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王书杰
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孙聂枫
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孙聂枫
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史艳磊
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史艳磊
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邵会民
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邵会民
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李晓岚
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李晓岚
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王阳
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王阳
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付莉杰
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付莉杰
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徐森锋
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徐森锋
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姜剑
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姜剑
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孙同年
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中国专利
:CN211999987U
,2020-11-24
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