一种大尺寸氧化镓单晶的生长设备及方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710692399.8

申请日：

2017-08-14

公开(公告)号：

CN107541776A

公开(公告)日：

2018-01-05

发明(设计)人：

王东海徐军唐慧丽罗平何诺天郭超李秋王庆国

申请人：

申请人地址：

200092 上海市杨浦区四平路1239号

IPC主分类号：

C30B2916

IPC分类号：

C30B2700

代理机构：

上海科盛知识产权代理有限公司 31225

代理人：

蒋亮珠

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-01-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/16 申请日:20170814
2021-05-28	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B 29/16 申请公布日:20180105
2018-01-05	公开	公开

共 50 条

[1]

一种大尺寸氧化镓单晶的生长方法及生长装置 [P].

唐慧丽 ;

徐军 ;

钱小波 ;

罗平 ;

姜大朋 ;

吴锋 ;

王静雅 ;

唐飞 .

中国专利 :CN103541008A ,2014-01-29

[2]

一种大尺寸氮化镓单晶生长设备及大尺寸体块氮化镓单晶的生长方法 [P].

王国栋 ;

俞瑞仙 ;

张雷 ;

刘磊 ;

王泰林 ;

刘光霞 ;

陈成敏 .

中国专利 :CN112553692A ,2021-03-26

[3]

一种氧化镓单晶的生长装置及氧化镓单晶生长方法 [P].

刘进 .

中国专利 :CN117626405A ,2024-03-01

[4]

一种氧化镓单晶棒的生长设备及方法 [P].

乔印彬 .

中国专利 :CN118087025A ,2024-05-28

[5]

氧化镓单晶及其生长装置及生长方法 [P].

宫学源 ;

李龙 ;

王跃宇 ;

李培刚 .

中国专利 :CN118308779A ,2024-07-09

[6]

氧化镓单晶及其生长装置及生长方法 [P].

宫学源 ;

李龙 ;

王跃宇 ;

李培刚 .

中国专利 :CN118308779B ,2024-09-10

[7]

一种生长大尺寸氧化镓单晶的掺杂方法 [P].

于凯 ;

练小正 ;

杨东海 ;

徐永宽 ;

程红娟 ;

张颖武 ;

司华青 ;

霍晓青 ;

郭文斌 .

中国专利 :CN105970289A ,2016-09-28

[8]

氧化镓单晶生长方法及单晶生长装置 [P].

裵示永 ;

郑盛民 ;

辛胤沚 ;

具泰勋 ;

申阿兰 .

韩国专利 :CN119956489A ,2025-05-09

[9]

一种氧化镓单晶生长装置 [P].

陈端阳 ;

齐红基 ;

赛青林 .

中国专利 :CN113913924A ,2022-01-11

[10]

一种导模法大尺寸氧化镓单晶生长装置的热场结构 [P].

练小正 ;

张胜男 ;

程红娟 ;

徐永宽 ;

齐海涛 ;

张颖武 .

中国专利 :CN107604432A ,2018-01-19

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