一种大尺寸氧化镓单晶的生长方法及生长装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310559528.8

申请日：

2013-11-12

公开(公告)号：

CN103541008A

公开(公告)日：

2014-01-29

发明(设计)人：

唐慧丽徐军钱小波罗平姜大朋吴锋王静雅唐飞

申请人：

申请人地址：

201800 上海市嘉定区城北路215号

IPC主分类号：

C30B2916

IPC分类号：

C30B1536

代理机构：

上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261

代理人：

曹芳玲;郑优丽

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-05	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):C30B 29/16 登记生效日:20220726 变更事项:专利权人变更前权利人:上海硅酸盐研究所中试基地变更后权利人:中国科学院上海硅酸盐研究所变更事项:地址变更前权利人:201800 上海市嘉定区城北路215号变更后权利人:200050 上海市长宁区定西路1295号变更事项:专利权人变更前权利人:中国科学院上海硅酸盐研究所
2014-01-29	公开	公开
2014-03-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101576168606 IPC(主分类):C30B 29/16 专利申请号:2013105595288 申请日:20131112
2016-01-06	授权	授权

共 50 条

[1]

一种氧化镓单晶的生长装置及氧化镓单晶生长方法 [P].

刘进 .

中国专利 :CN117626405A ,2024-03-01

[2]

氧化镓单晶生长方法及单晶生长装置 [P].

裵示永 ;

郑盛民 ;

辛胤沚 ;

具泰勋 ;

申阿兰 .

韩国专利 :CN119956489A ,2025-05-09

[3]

氧化镓单晶及其生长装置及生长方法 [P].

宫学源 ;

李龙 ;

王跃宇 ;

李培刚 .

中国专利 :CN118308779A ,2024-07-09

[4]

氧化镓单晶及其生长装置及生长方法 [P].

宫学源 ;

李龙 ;

王跃宇 ;

李培刚 .

中国专利 :CN118308779B ,2024-09-10

[5]

一种导模法生长氧化镓单晶的生长装置及生长方法 [P].

赛青林 ;

齐红基 ;

卜予哲 ;

贾宁 ;

潘明艳 ;

王斌 .

中国专利 :CN118880463A ,2024-11-01

[6]

一种大尺寸氧化镓单晶的生长设备及方法 [P].

王东海 ;

徐军 ;

唐慧丽 ;

罗平 ;

何诺天 ;

郭超 ;

李秋 ;

王庆国 .

中国专利 :CN107541776A ,2018-01-05

[7]

一种氧化镓单晶的生长方法 [P].

霍晓青 ;

张胜男 ;

王英民 ;

文皓 ;

周金杰 ;

高飞 ;

李晖 ;

程红娟 ;

赖占平 .

中国专利 :CN119265687A ,2025-01-07

[8]

一种砷化镓单晶生长装置及生长方法 [P].

王金灵 ;

周铁军 ;

严卫东 ;

马金峰 .

中国专利 :CN110359095B ,2019-10-22

[9]

一种用于导模法生长氧化镓单晶的模具及氧化镓单晶生长方法 [P].

潘明艳 ;

纪为国 ;

姜博文 ;

范骐鸣 ;

张璐 ;

吕聪 ;

吴逸晨 ;

齐红基 ;

赛青林 ;

贾宁 ;

王斌 ;

夏长泰 .

中国专利 :CN119980444A ,2025-05-13

[10]

一种生长大尺寸氧化镓晶体的设备及生长方法 [P].

夏宁 ;

王琤 ;

王嘉君 .

中国专利 :CN119287493A ,2025-01-10

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