一种导模法生长氧化镓单晶的生长装置及生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411185614.1

申请日：

2024-08-27

公开(公告)号：

CN118880463A

公开(公告)日：

2024-11-01

发明(设计)人：

赛青林齐红基卜予哲贾宁潘明艳王斌

申请人：

中国科学院上海光学精密机械研究所

申请人地址：

201800 上海市嘉定区清河路390号

IPC主分类号：

C30B29/16

IPC分类号：

C30B15/34

代理机构：

上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317

代理人：

陈传喜

法律状态：

公开

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-01	公开	公开
2024-11-19	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 29/16申请日:20240827

共 50 条

[1]

一种导模法生长氧化镓单晶的模具及生长方法 [P].

齐红基 ;

赛青林 .

中国专利 :CN112831832A ,2021-05-25

[2]

一种导模法生长氧化镓单晶的模具及生长方法 [P].

齐红基 ;

赛青林 .

中国专利 :CN112831832B ,2024-10-18

[3]

一种用于导模法生长氧化镓单晶的模具及氧化镓单晶生长方法 [P].

潘明艳 ;

纪为国 ;

姜博文 ;

范骐鸣 ;

张璐 ;

吕聪 ;

吴逸晨 ;

齐红基 ;

赛青林 ;

贾宁 ;

王斌 ;

夏长泰 .

中国专利 :CN119980444A ,2025-05-13

[4]

一种氧化镓单晶的生长装置及氧化镓单晶生长方法 [P].

刘进 .

中国专利 :CN117626405A ,2024-03-01

[5]

氧化镓单晶生长方法及单晶生长装置 [P].

裵示永 ;

郑盛民 ;

辛胤沚 ;

具泰勋 ;

申阿兰 .

韩国专利 :CN119956489A ,2025-05-09

[6]

一种导模法生长氧化镓晶体的生长装置与生长方法 [P].

齐红基 ;

赛青林 .

中国专利 :CN112877770A ,2021-06-01

[7]

氧化镓单晶及其生长装置及生长方法 [P].

宫学源 ;

李龙 ;

王跃宇 ;

李培刚 .

中国专利 :CN118308779A ,2024-07-09

[8]

氧化镓单晶及其生长装置及生长方法 [P].

宫学源 ;

李龙 ;

王跃宇 ;

李培刚 .

中国专利 :CN118308779B ,2024-09-10

[9]

导模法生长氧化镓晶体的装置及氧化镓晶体的生长方法 [P].

齐红基 ;

邓淇元 ;

秦娟 .

中国专利 :CN120330874A ,2025-07-18

[10]

一种大尺寸氧化镓单晶的生长方法及生长装置 [P].

唐慧丽 ;

徐军 ;

钱小波 ;

罗平 ;

姜大朋 ;

吴锋 ;

王静雅 ;

唐飞 .

中国专利 :CN103541008A ,2014-01-29

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