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一种导模法生长氧化镓单晶的模具及生长方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202011644809.X
申请日
:
2020-12-31
公开(公告)号
:
CN112831832B
公开(公告)日
:
2024-10-18
发明(设计)人
:
齐红基
赛青林
申请人
:
杭州富加镓业科技有限公司
申请人地址
:
311400 浙江省杭州市富阳区春江街道江南路68号第23幢301室
IPC主分类号
:
C30B15/34
IPC分类号
:
C30B29/16
代理机构
:
深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268
代理人
:
刘文求;朱阳波
法律状态
:
授权
国省代码
:
浙江省 杭州市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-10-18
授权
授权
共 50 条
[1]
一种导模法生长氧化镓单晶的模具及生长方法
[P].
齐红基
论文数:
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齐红基
;
赛青林
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赛青林
.
中国专利
:CN112831832A
,2021-05-25
[2]
一种用于导模法生长氧化镓单晶的模具及氧化镓单晶生长方法
[P].
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机构:
潘明艳
;
论文数:
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机构:
纪为国
;
姜博文
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机构:
中国科学院上海光学精密机械研究所
中国科学院上海光学精密机械研究所
姜博文
;
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机构:
范骐鸣
;
张璐
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机构:
中国科学院上海光学精密机械研究所
中国科学院上海光学精密机械研究所
张璐
;
吕聪
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机构:
中国科学院上海光学精密机械研究所
中国科学院上海光学精密机械研究所
吕聪
;
吴逸晨
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机构:
中国科学院上海光学精密机械研究所
中国科学院上海光学精密机械研究所
吴逸晨
;
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机构:
齐红基
;
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机构:
赛青林
;
论文数:
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机构:
贾宁
;
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机构:
王斌
;
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机构:
夏长泰
.
中国专利
:CN119980444A
,2025-05-13
[3]
一种导模法生长氧化镓单晶的模具
[P].
齐红基
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齐红基
;
赛青林
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赛青林
.
中国专利
:CN214458441U
,2021-10-22
[4]
一种导模法生长氧化镓单晶的模具
[P].
齐红基
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齐红基
;
赛青林
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赛青林
.
中国专利
:CN214458440U
,2021-10-22
[5]
一种导模法生长氧化镓单晶的生长装置及生长方法
[P].
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机构:
赛青林
;
论文数:
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机构:
齐红基
;
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机构:
卜予哲
;
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机构:
贾宁
;
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机构:
潘明艳
;
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机构:
王斌
.
中国专利
:CN118880463A
,2024-11-01
[6]
氧化镓单晶生长方法及单晶生长装置
[P].
裵示永
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机构:
韩国窑业技术院
韩国窑业技术院
裵示永
;
郑盛民
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机构:
韩国窑业技术院
韩国窑业技术院
郑盛民
;
辛胤沚
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韩国窑业技术院
韩国窑业技术院
辛胤沚
;
具泰勋
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机构:
韩国窑业技术院
韩国窑业技术院
具泰勋
;
申阿兰
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机构:
韩国窑业技术院
韩国窑业技术院
申阿兰
.
韩国专利
:CN119956489A
,2025-05-09
[7]
一种用于导模法生长氧化镓单晶的模具
[P].
郑东
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机构:
青岛芯康半导体科技有限公司
青岛芯康半导体科技有限公司
郑东
;
王鑫
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机构:
青岛芯康半导体科技有限公司
青岛芯康半导体科技有限公司
王鑫
;
张兴姿
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机构:
青岛芯康半导体科技有限公司
青岛芯康半导体科技有限公司
张兴姿
.
中国专利
:CN220597691U
,2024-03-15
[8]
一种氧化镓单晶的生长装置及氧化镓单晶生长方法
[P].
刘进
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机构:
杭州镓仁半导体有限公司
杭州镓仁半导体有限公司
刘进
.
中国专利
:CN117626405A
,2024-03-01
[9]
一种用于导模法生长氧化镓单晶的导模板
[P].
张先海
论文数:
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张先海
.
中国专利
:CN207919017U
,2018-09-28
[10]
一种导模法生长氧化镓晶体的模具与生长方法
[P].
刘皓月
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机构:
杭州富加镓业科技有限公司
杭州富加镓业科技有限公司
刘皓月
;
秦娟
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机构:
杭州富加镓业科技有限公司
杭州富加镓业科技有限公司
秦娟
;
齐红基
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机构:
杭州富加镓业科技有限公司
杭州富加镓业科技有限公司
齐红基
;
何林波
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机构:
杭州富加镓业科技有限公司
杭州富加镓业科技有限公司
何林波
.
中国专利
:CN118854435A
,2024-10-29
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