一种生长大尺寸氧化镓晶体的设备及生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411419759.3

申请日：

2024-10-11

公开(公告)号：

CN119287493A

公开(公告)日：

2025-01-10

发明(设计)人：

夏宁王琤王嘉君

申请人：

杭州镓仁半导体有限公司

申请人地址：

311202 浙江省杭州市萧山区宁围街道建设三路733号信息港五期一号楼205-62

IPC主分类号：

C30B15/00

IPC分类号：

C30B15/22 C30B29/16 C30B15/32 C30B15/14

代理机构：

北京高沃律师事务所 11569

代理人：

王洋

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-01-10	公开	公开
2025-01-28	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 15/00申请日:20241011

共 50 条

[1]

一种导模法生长大尺寸氧化镓晶体的模具及生长方法 [P].

齐红基 ;

赛青林 ;

张龙 .

中国专利 :CN112795982A ,2021-05-14

[2]

氧化镓晶体生长方法及生长氧化镓晶体的组合坩埚 [P].

张辉 ;

马可可 ;

夏宁 ;

王嘉斌 ;

刘莹莹 ;

杨德仁 .

中国专利 :CN113774484A ,2021-12-10

[3]

氧化镓晶体生长装置及生长方法 [P].

马可可 ;

夏宁 ;

杨守智 .

中国专利 :CN118957757A ,2024-11-15

[4]

氧化镓晶体生长装置及生长方法 [P].

狄聚青 ;

朱刘 ;

刘运连 ;

薛帅 ;

唐俊杰 .

中国专利 :CN112680780A ,2021-04-20

[5]

一种增加氧化镓晶体尺寸的生长方法 [P].

胡开朋 .

中国专利 :CN119433678A ,2025-02-14

[6]

一种导模法生长大尺寸氧化镓晶体的方法及生长模具 [P].

王英民 ;

霍晓青 ;

王健 ;

张胜男 ;

李宝珠 ;

郝建民 ;

程红娟 ;

周金杰 .

中国专利 :CN117552091A ,2024-02-13

[7]

一种氧化镓晶体生长炉及氧化镓晶体生长方法 [P].

王琤 ;

杨守智 ;

沈典宇 ;

王芸霞 .

中国专利 :CN117468092A ,2024-01-30

[8]

一种用于氧化镓晶体生长的模具及氧化镓晶体的生长方法 [P].

陈政委 ;

胡开朋 ;

吕进 ;

辛泽文 ;

邓德辉 ;

赵德刚 ;

吴忠亮 .

中国专利 :CN114457414A ,2022-05-10

[9]

一种用于氧化镓晶体生长的模具及氧化镓晶体的生长方法 [P].

陈政委 ;

胡开朋 ;

吕进 ;

辛泽文 ;

邓德辉 ;

赵德刚 ;

吴忠亮 .

中国专利 :CN114457414B ,2025-09-02

[10]

氧化镓晶体生长装置及晶体生长方法 [P].

张辉 ;

马可可 ;

夏宁 ;

王嘉斌 ;

刘莹莹 ;

杨德仁 .

中国专利 :CN114059162B ,2022-02-18

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