一种用于氧化镓晶体生长的模具及氧化镓晶体的生长方法

被引:0
申请号
CN202110790896.8
申请日
2021-07-13
公开(公告)号
CN114457414A
公开(公告)日
2022-05-10
发明(设计)人
陈政委 胡开朋 吕进 辛泽文 邓德辉 赵德刚 吴忠亮
申请人
申请人地址
100089 北京市海淀区西土城路10号5
IPC主分类号
C30B1534
IPC分类号
C30B2916
代理机构
北京维正专利代理有限公司 11508
代理人
张鸿基;马希超
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
一种用于氧化镓晶体生长的模具及氧化镓晶体的生长方法 [P]. 
陈政委 ;
胡开朋 ;
吕进 ;
辛泽文 ;
邓德辉 ;
赵德刚 ;
吴忠亮 .
中国专利 :CN114457414B ,2025-09-02
[2]
一种用于氧化镓晶体生长的模具 [P]. 
陈政委 ;
胡开朋 ;
吕进 ;
辛泽文 ;
邓德辉 ;
赵德刚 ;
吴忠亮 .
中国专利 :CN215481417U ,2022-01-11
[3]
氧化镓晶体生长方法及生长氧化镓晶体的组合坩埚 [P]. 
张辉 ;
马可可 ;
夏宁 ;
王嘉斌 ;
刘莹莹 ;
杨德仁 .
中国专利 :CN113774484A ,2021-12-10
[4]
一种氧化镓晶体生长炉及氧化镓晶体生长方法 [P]. 
王琤 ;
杨守智 ;
沈典宇 ;
王芸霞 .
中国专利 :CN117468092A ,2024-01-30
[5]
氧化镓晶体生长装置及生长方法 [P]. 
狄聚青 ;
朱刘 ;
刘运连 ;
薛帅 ;
唐俊杰 .
中国专利 :CN112680780A ,2021-04-20
[6]
氧化镓晶体生长装置及晶体生长方法 [P]. 
张辉 ;
马可可 ;
夏宁 ;
王嘉斌 ;
刘莹莹 ;
杨德仁 .
中国专利 :CN114059162B ,2022-02-18
[7]
氧化镓晶体生长装置及生长方法 [P]. 
马可可 ;
夏宁 ;
杨守智 .
中国专利 :CN118957757A ,2024-11-15
[8]
氧化镓薄膜晶体生长方法 [P]. 
杨安丽 ;
张新河 ;
高博 ;
张志新 ;
陈施施 ;
温正欣 ;
其他发明人请求不公开姓名 .
中国专利 :CN111916341A ,2020-11-10
[9]
一种用于氧化镓晶体生长的模具 [P]. 
肖迪 ;
王鑫 ;
郑东 ;
贾松松 .
中国专利 :CN222362188U ,2025-01-17
[10]
导模法生长氧化镓晶体的装置及氧化镓晶体的生长方法 [P]. 
齐红基 ;
邓淇元 ;
秦娟 .
中国专利 :CN120330874A ,2025-07-18