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一种用于氧化镓晶体生长的模具
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN202421191437.3
申请日
:
2024-05-29
公开(公告)号
:
CN222362188U
公开(公告)日
:
2025-01-17
发明(设计)人
:
肖迪
王鑫
郑东
贾松松
申请人
:
青岛芯康半导体科技有限公司
申请人地址
:
266400 山东省青岛市黄岛区滨海街道古镇口军民融合创新示范区融合路117号技术交易大厦1502
IPC主分类号
:
C30B23/00
IPC分类号
:
C30B29/40
代理机构
:
青岛匠海舟盈专利代理事务所(普通合伙) 37401
代理人
:
向迎巧
法律状态
:
授权
国省代码
:
山东省 青岛市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-01-17
授权
授权
共 50 条
[1]
一种用于氧化镓晶体生长的模具
[P].
陈政委
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陈政委
;
胡开朋
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胡开朋
;
吕进
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吕进
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辛泽文
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辛泽文
;
邓德辉
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邓德辉
;
赵德刚
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赵德刚
;
吴忠亮
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吴忠亮
.
中国专利
:CN215481417U
,2022-01-11
[2]
一种用于氧化镓晶体生长的模具及氧化镓晶体的生长方法
[P].
陈政委
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陈政委
;
胡开朋
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胡开朋
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吕进
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吕进
;
辛泽文
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辛泽文
;
邓德辉
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邓德辉
;
赵德刚
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赵德刚
;
吴忠亮
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吴忠亮
.
中国专利
:CN114457414A
,2022-05-10
[3]
一种用于氧化镓晶体生长的模具及氧化镓晶体的生长方法
[P].
陈政委
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陈政委
陈政委
陈政委
;
胡开朋
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陈政委
陈政委
胡开朋
;
吕进
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陈政委
陈政委
吕进
;
辛泽文
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陈政委
陈政委
辛泽文
;
邓德辉
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陈政委
陈政委
邓德辉
;
赵德刚
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陈政委
陈政委
赵德刚
;
吴忠亮
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机构:
陈政委
陈政委
吴忠亮
.
中国专利
:CN114457414B
,2025-09-02
[4]
一种氧化镓晶体生长炉
[P].
王琤
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杭州镓仁半导体有限公司
杭州镓仁半导体有限公司
王琤
;
杨守智
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机构:
杭州镓仁半导体有限公司
杭州镓仁半导体有限公司
杨守智
;
沈典宇
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杭州镓仁半导体有限公司
杭州镓仁半导体有限公司
沈典宇
;
王芸霞
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机构:
杭州镓仁半导体有限公司
杭州镓仁半导体有限公司
王芸霞
.
中国专利
:CN223176257U
,2025-08-01
[5]
一种氧化镓晶体生长炉及氧化镓晶体生长方法
[P].
王琤
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杭州镓仁半导体有限公司
杭州镓仁半导体有限公司
王琤
;
杨守智
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杭州镓仁半导体有限公司
杭州镓仁半导体有限公司
杨守智
;
沈典宇
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机构:
杭州镓仁半导体有限公司
杭州镓仁半导体有限公司
沈典宇
;
王芸霞
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机构:
杭州镓仁半导体有限公司
杭州镓仁半导体有限公司
王芸霞
.
中国专利
:CN117468092A
,2024-01-30
[6]
一种氧化镓晶体生长炉的热场结构
[P].
夏宁
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杭州镓仁半导体有限公司
杭州镓仁半导体有限公司
夏宁
;
王琤
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机构:
杭州镓仁半导体有限公司
杭州镓仁半导体有限公司
王琤
.
中国专利
:CN223723271U
,2025-12-26
[7]
一种氧化镓晶体生长装置
[P].
王琤
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杭州镓仁半导体有限公司
杭州镓仁半导体有限公司
王琤
;
王芸霞
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杭州镓仁半导体有限公司
杭州镓仁半导体有限公司
王芸霞
;
刘进
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机构:
杭州镓仁半导体有限公司
杭州镓仁半导体有限公司
刘进
.
中国专利
:CN222043410U
,2024-11-22
[8]
氧化镓晶体生长装置及晶体生长方法
[P].
张辉
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张辉
;
马可可
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马可可
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夏宁
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;
王嘉斌
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王嘉斌
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刘莹莹
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刘莹莹
;
杨德仁
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杨德仁
.
中国专利
:CN114059162B
,2022-02-18
[9]
氧化镓晶体生长方法及生长氧化镓晶体的组合坩埚
[P].
张辉
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张辉
;
马可可
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马可可
;
夏宁
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夏宁
;
王嘉斌
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王嘉斌
;
刘莹莹
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刘莹莹
;
杨德仁
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杨德仁
.
中国专利
:CN113774484A
,2021-12-10
[10]
一种EFG法氧化镓晶体生长装置
[P].
李耀光
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机构:
先导原创(上海)新技术研究有限公司
先导原创(上海)新技术研究有限公司
李耀光
;
陈俊宏
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先导原创(上海)新技术研究有限公司
先导原创(上海)新技术研究有限公司
陈俊宏
.
中国专利
:CN119411217A
,2025-02-11
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