一种氧化镓晶体生长炉

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202322824575.2

申请日：

2023-10-20

公开(公告)号：

CN223176257U

公开(公告)日：

2025-08-01

发明(设计)人：

王琤杨守智沈典宇王芸霞

申请人：

杭州镓仁半导体有限公司

申请人地址：

311202 浙江省杭州市萧山区宁围街道建设三路733号信息港五期一号楼205-62

IPC主分类号：

C30B29/16

IPC分类号：

C30B33/02

代理机构：

北京高沃律师事务所 11569

代理人：

张德才

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-01	授权	授权

共 50 条

[1]

一种氧化镓晶体生长炉及氧化镓晶体生长方法 [P].

王琤 ;

杨守智 ;

沈典宇 ;

王芸霞 .

中国专利 :CN117468092A ,2024-01-30

[2]

一种氧化镓晶体生长炉的热场结构 [P].

夏宁 ;

王琤 .

中国专利 :CN223723271U ,2025-12-26

[3]

一种氧化镓晶体生长装置 [P].

王琤 ;

王芸霞 ;

刘进 .

中国专利 :CN222043410U ,2024-11-22

[4]

一种用于氧化镓晶体生长的模具 [P].

肖迪 ;

王鑫 ;

郑东 ;

贾松松 .

中国专利 :CN222362188U ,2025-01-17

[5]

连续加料的直拉法氧化镓晶体生长炉 [P].

王琤 ;

王芸霞 ;

叶龙 .

中国专利 :CN221480153U ,2024-08-06

[6]

氧化镓晶体生长方法及生长氧化镓晶体的组合坩埚 [P].

张辉 ;

马可可 ;

夏宁 ;

王嘉斌 ;

刘莹莹 ;

杨德仁 .

中国专利 :CN113774484A ,2021-12-10

[7]

氧化镓晶体生长装置及晶体生长方法 [P].

张辉 ;

马可可 ;

夏宁 ;

王嘉斌 ;

刘莹莹 ;

杨德仁 .

中国专利 :CN114059162B ,2022-02-18

[8]

一种用于氧化镓晶体生长的模具及氧化镓晶体的生长方法 [P].

陈政委 ;

胡开朋 ;

吕进 ;

辛泽文 ;

邓德辉 ;

赵德刚 ;

吴忠亮 .

中国专利 :CN114457414A ,2022-05-10

[9]

一种用于氧化镓晶体生长的模具及氧化镓晶体的生长方法 [P].

陈政委 ;

胡开朋 ;

吕进 ;

辛泽文 ;

邓德辉 ;

赵德刚 ;

吴忠亮 .

中国专利 :CN114457414B ,2025-09-02

[10]

氧化镓晶体生长装置及生长方法 [P].

狄聚青 ;

朱刘 ;

刘运连 ;

薛帅 ;

唐俊杰 .

中国专利 :CN112680780A ,2021-04-20

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