一种增加氧化镓晶体尺寸的生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411492996.2

申请日：

2024-10-24

公开(公告)号：

CN119433678A

公开(公告)日：

2025-02-14

发明(设计)人：

胡开朋

申请人：

北京铭镓半导体有限公司

申请人地址：

101300 北京市顺义区顺强路1号1幢1层102室

IPC主分类号：

C30B11/00

IPC分类号：

C30B29/16

代理机构：

北京工信联合知识产权代理有限公司 11266

代理人：

姜丽楼

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

北京市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-04	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 11/00申请日:20241024
2025-02-14	公开	公开

共 50 条

[1]

导模法生长氧化镓晶体的装置及氧化镓晶体的生长方法 [P].

齐红基 ;

邓淇元 ;

秦娟 .

中国专利 :CN120330874A ,2025-07-18

[2]

一种减少氧化镓栾晶数量的晶体生长方法 [P].

胡开朋 .

中国专利 :CN117904707A ,2024-04-19

[3]

一种减少氧化镓栾晶数量的晶体生长方法 [P].

胡开朋 .

中国专利 :CN117904707B ,2024-06-14

[4]

一种氧化镓晶体生长的助熔剂及生长方法 [P].

颜涛 ;

罗敏 ;

林菊 ;

陈昱 .

中国专利 :CN119800486A ,2025-04-11

[5]

一种生长大尺寸氧化镓晶体的设备及生长方法 [P].

夏宁 ;

王琤 ;

王嘉君 .

中国专利 :CN119287493A ,2025-01-10

[6]

氧化镓晶体生长方法及生长氧化镓晶体的组合坩埚 [P].

张辉 ;

马可可 ;

夏宁 ;

王嘉斌 ;

刘莹莹 ;

杨德仁 .

中国专利 :CN113774484A ,2021-12-10

[7]

一种氧化镓晶体生长炉及氧化镓晶体生长方法 [P].

王琤 ;

杨守智 ;

沈典宇 ;

王芸霞 .

中国专利 :CN117468092A ,2024-01-30

[8]

一种用于氧化镓晶体生长的模具及氧化镓晶体的生长方法 [P].

陈政委 ;

胡开朋 ;

吕进 ;

辛泽文 ;

邓德辉 ;

赵德刚 ;

吴忠亮 .

中国专利 :CN114457414A ,2022-05-10

[9]

一种用于氧化镓晶体生长的模具及氧化镓晶体的生长方法 [P].

陈政委 ;

胡开朋 ;

吕进 ;

辛泽文 ;

邓德辉 ;

赵德刚 ;

吴忠亮 .

中国专利 :CN114457414B ,2025-09-02

[10]

一种抑制氧化镓挥发分解的热场结构、氧化镓晶体的生长装置和生长方法 [P].

马可可 ;

夏宁 ;

王嘉斌 .

中国专利 :CN119194584A ,2024-12-27

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