一种羟基氧化镓纳米晶体的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210520733.9

申请日：

2012-12-06

公开(公告)号：

CN102976393A

公开(公告)日：

2013-03-20

发明(设计)人：

张剑史立慧吴思崔啟良

申请人：

申请人地址：

130012 吉林省长春市前进大街2699号

IPC主分类号：

C01G1500

IPC分类号：

B82Y3000

代理机构：

长春吉大专利代理有限责任公司 22201

代理人：

王恩远

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-03-20	公开	公开
2014-05-28	授权	授权
2016-01-20	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101643903874 IPC(主分类):C01G 15/00 专利号:ZL2012105207339 申请日:20121206 授权公告日:20140528 终止日期:20141206
2013-04-17	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101438920936 IPC(主分类):C01G 15/00 专利申请号:2012105207339 申请日:20121206

共 50 条

[1]

一种羟基氧化镓纳米晶体的制备方法 [P].

张剑 ;

史立慧 ;

吴思 .

中国专利 :CN102786078A ,2012-11-21

[2]

一种α-羟基氧化镓纳米线、α-三氧化二镓纳米线晶体材料及其制备方法和应用 [P].

滕越 ;

聂元弘 ;

吴自强 ;

王缔 ;

张红 ;

谢恒 ;

励刚 ;

陈国宏 ;

徐斌 ;

刘鑫 ;

汤伟 ;

丁津津 ;

夏鹏 ;

谢毓广 .

中国专利 :CN118684262A ,2024-09-24

[3]

一种羟基氧化镓的制备方法 [P].

沈乐 ;

艾蓁 ;

秦曾言 ;

赵亚伟 ;

徐慧杰 .

中国专利 :CN119143168A ,2024-12-17

[4]

一种高效制备羟基氧化镓的方法 [P].

徐亮 ;

赵卓 ;

周晓伟 ;

姚超 ;

杨成 ;

田勇攀 ;

杨甜甜 ;

王前程 .

中国专利 :CN116199251B ,2024-07-16

[5]

一种羟基氧化镓及其制备方法 [P].

沈乐 ;

艾蓁 ;

徐慧杰 ;

秦曾言 ;

赵亚伟 ;

岳辰曦 ;

陈勇军 .

中国专利 :CN118851104A ,2024-10-29

[6]

一种羟基氧化镓煅烧制备颗粒尺寸均一纳米级氧化镓的方法 [P].

徐亮 ;

赵卓 ;

葛涛 ;

孙严 ;

杨成 ;

田勇攀 ;

祝若鑫 ;

韩琪 .

中国专利 :CN116282134B ,2024-08-02

[7]

一种短流程制备羟基氧化镓的方法 [P].

沈乐 ;

艾蓁 ;

张洁静 ;

赵亚伟 ;

秦曾言 ;

李书贯 ;

王菲 .

中国专利 :CN120271035A ,2025-07-08

[8]

一种丝状纳米氧化镓及其制备方法 [P].

陈杰 ;

岳康伟 ;

刘苗 ;

孙本双 ;

何季麟 .

中国专利 :CN118255385A ,2024-06-28

[9]

一种短流程制备羟基氧化镓粉体的方法 [P].

徐亮 ;

赵卓 ;

杨成 ;

施全 ;

蔡澳 ;

李梦阳 ;

韩晓雨 ;

何肖阳 .

中国专利 :CN118877928A ,2024-11-01

[10]

一种氧化镓纳米材料的制备方法 [P].

张誉赢 ;

李祖涛 ;

熊英 ;

高婧 ;

王月娇 ;

单炜军 .

中国专利 :CN120157172A ,2025-06-17

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