一种短流程制备羟基氧化镓粉体的方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202410973500.7
申请日
2024-07-19
公开(公告)号
CN118877928A
公开(公告)日
2024-11-01
发明(设计)人
徐亮 赵卓 杨成 施全 蔡澳 李梦阳 韩晓雨 何肖阳
申请人
安徽工业大学
申请人地址
243071 安徽省马鞍山市经济技术开发区南区嘉善科技园2号楼
IPC主分类号
C01G15/00
IPC分类号
代理机构
安徽顺超知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 34120
代理人
张慧
法律状态
公开
国省代码
安徽省 马鞍山市
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共 50 条
[1]
一种短流程制备羟基氧化镓的方法 [P]. 
沈乐 ;
艾蓁 ;
张洁静 ;
赵亚伟 ;
秦曾言 ;
李书贯 ;
王菲 .
中国专利 :CN120271035A ,2025-07-08
[2]
一种短流程制备高纯氧化镓的方法 [P]. 
赵卓 ;
徐亮 ;
孙严 ;
周晓伟 ;
田勇攀 ;
杨成 ;
王前程 ;
杨甜甜 .
中国专利 :CN116409813B ,2024-08-20
[3]
一种高效制备羟基氧化镓的方法 [P]. 
徐亮 ;
赵卓 ;
周晓伟 ;
姚超 ;
杨成 ;
田勇攀 ;
杨甜甜 ;
王前程 .
中国专利 :CN116199251B ,2024-07-16
[4]
一种基于液态金属镓制备氧化镓粉体的方法 [P]. 
芶立 ;
龚改林 .
中国专利 :CN119706918A ,2025-03-28
[5]
一种基于液态金属镓制备氧化镓粉体的方法 [P]. 
芶立 ;
龚改林 .
中国专利 :CN119706918B ,2025-11-21
[6]
一种羟基氧化镓的制备方法 [P]. 
沈乐 ;
艾蓁 ;
秦曾言 ;
赵亚伟 ;
徐慧杰 .
中国专利 :CN119143168A ,2024-12-17
[7]
一种羟基氧化镓纳米晶体的制备方法 [P]. 
张剑 ;
史立慧 ;
吴思 .
中国专利 :CN102786078A ,2012-11-21
[8]
一种羟基氧化镓煅烧制备颗粒尺寸均一纳米级氧化镓的方法 [P]. 
徐亮 ;
赵卓 ;
葛涛 ;
孙严 ;
杨成 ;
田勇攀 ;
祝若鑫 ;
韩琪 .
中国专利 :CN116282134B ,2024-08-02
[9]
一种高效短流程制备高纯羟基氧化铟的方法 [P]. 
徐亮 ;
赵卓 ;
杨成 ;
施全 ;
杨毅帆 ;
王琼 ;
尹寒骁 ;
邢浩然 .
中国专利 :CN118833852A ,2024-10-25
[10]
一种羟基氧化镓及其制备方法 [P]. 
沈乐 ;
艾蓁 ;
徐慧杰 ;
秦曾言 ;
赵亚伟 ;
岳辰曦 ;
陈勇军 .
中国专利 :CN118851104A ,2024-10-29