一种羟基氧化镓及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202410836484.7
申请日
2024-06-26
公开(公告)号
CN118851104A
公开(公告)日
2024-10-29
发明(设计)人
沈乐 艾蓁 徐慧杰 秦曾言 赵亚伟 岳辰曦 陈勇军
申请人
中铝郑州有色金属研究院有限公司
申请人地址
450041 河南省郑州市上街区济源路82号
IPC主分类号
C01B21/06
IPC分类号
代理机构
北京华沛德权律师事务所 11302
代理人
张晓冬
法律状态
公开
国省代码
河南省 郑州市
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共 50 条
[1]
一种高效制备羟基氧化镓的方法 [P]. 
徐亮 ;
赵卓 ;
周晓伟 ;
姚超 ;
杨成 ;
田勇攀 ;
杨甜甜 ;
王前程 .
中国专利 :CN116199251B ,2024-07-16
[2]
一种羟基氧化镓的制备方法 [P]. 
沈乐 ;
艾蓁 ;
秦曾言 ;
赵亚伟 ;
徐慧杰 .
中国专利 :CN119143168A ,2024-12-17
[3]
一种短流程制备羟基氧化镓的方法 [P]. 
沈乐 ;
艾蓁 ;
张洁静 ;
赵亚伟 ;
秦曾言 ;
李书贯 ;
王菲 .
中国专利 :CN120271035A ,2025-07-08
[4]
一种短流程制备羟基氧化镓粉体的方法 [P]. 
徐亮 ;
赵卓 ;
杨成 ;
施全 ;
蔡澳 ;
李梦阳 ;
韩晓雨 ;
何肖阳 .
中国专利 :CN118877928A ,2024-11-01
[5]
一种羟基氧化镓煅烧制备颗粒尺寸均一纳米级氧化镓的方法 [P]. 
徐亮 ;
赵卓 ;
葛涛 ;
孙严 ;
杨成 ;
田勇攀 ;
祝若鑫 ;
韩琪 .
中国专利 :CN116282134B ,2024-08-02
[6]
一种羟基氧化镓纳米晶体的制备方法 [P]. 
张剑 ;
史立慧 ;
吴思 ;
崔啟良 .
中国专利 :CN102976393A ,2013-03-20
[7]
一种羟基氧化镓纳米晶体的制备方法 [P]. 
张剑 ;
史立慧 ;
吴思 .
中国专利 :CN102786078A ,2012-11-21
[8]
一种α-羟基氧化镓纳米线、α-三氧化二镓纳米线晶体材料及其制备方法和应用 [P]. 
滕越 ;
聂元弘 ;
吴自强 ;
王缔 ;
张红 ;
谢恒 ;
励刚 ;
陈国宏 ;
徐斌 ;
刘鑫 ;
汤伟 ;
丁津津 ;
夏鹏 ;
谢毓广 .
中国专利 :CN118684262A ,2024-09-24
[9]
一种提高金属镓制备氧化镓反应速率的方法 [P]. 
沈乐 ;
艾蓁 ;
李书贯 ;
赵亚伟 ;
张洁静 ;
王菲 ;
徐慧杰 ;
李东旭 .
中国专利 :CN120535005A ,2025-08-26
[10]
一种棒状氧化镓及其制备方法 [P]. 
陈杰 ;
岳康伟 ;
王之君 ;
孙本双 ;
何季麟 .
中国专利 :CN118270829A ,2024-07-02