砷化镓纳米线阵列及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201410764647.1
申请日
2014-12-11
公开(公告)号
CN104445057A
公开(公告)日
2015-03-25
发明(设计)人
李新化 史同飞 刘敏 周步康 马文霞 王玉琦
申请人
申请人地址
230031 安徽省合肥市蜀山湖路350号2号楼1110信箱
IPC主分类号
B82B100
IPC分类号
B82B300
代理机构
合肥和瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 34118
代理人
任岗生
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
一种氧化镓纳米线及其制备方法和应用 [P]. 
马淑芳 ;
刘松 ;
黄鑫 ;
许并社 ;
黄彪 ;
李磊 ;
徐超明 ;
欧阳辉灿 .
中国专利 :CN113652670A ,2021-11-16
[2]
一种氧化镓纳米线阵列及其制备方法 [P]. 
陈烈裕 ;
钱银平 ;
王坤 ;
李小云 ;
王顺利 ;
李培刚 .
中国专利 :CN105826362A ,2016-08-03
[3]
砷化铟纳米线的制备方法以及砷化铟纳米线 [P]. 
张燕辉 ;
霍子帆 ;
唐舟 ;
范柳燕 ;
周孝好 ;
陈平平 ;
陆卫 .
中国专利 :CN117776259A ,2024-03-29
[4]
纳米线阵列制备方法、纳米线阵列集成器件及其制备方法 [P]. 
李述体 ;
王汝鹏 ;
宋伟东 ;
郭德霄 ;
陈航 ;
李凯 .
中国专利 :CN106082121A ,2016-11-09
[5]
一种β-氧化镓纳米线阵列薄膜及其制备方法 [P]. 
陈星 ;
刘可为 ;
李炳辉 ;
张振中 ;
王潇 ;
杨佳霖 ;
申德振 .
中国专利 :CN105826433A ,2016-08-03
[6]
铜铟镓硒纳米线阵列及其制备方法与应用 [P]. 
朱长飞 ;
张中伟 ;
刘伟丰 .
中国专利 :CN101700872A ,2010-05-05
[7]
纳米线阵列器件及其制备方法 [P]. 
张栖瑜 ;
张舒 ;
马恒 ;
司静 .
中国专利 :CN118866965A ,2024-10-29
[8]
金属氧化物纳米线阵列的制备方法及其制备的纳米线阵列 [P]. 
段学欣 ;
刘宇轩 ;
方烨 .
中国专利 :CN111924799A ,2020-11-13
[9]
一种氮化镓纳米线阵列及其加工方法 [P]. 
陈云 ;
余鹏飞 ;
侯茂祥 ;
李梓健 ;
陈新 .
中国专利 :CN115692189A ,2023-02-03
[10]
多层结构纳米线阵列及其制备方法 [P]. 
任山 ;
吴起白 ;
许宁生 ;
陈军 .
中国专利 :CN1872660A ,2006-12-06