铜铟镓硒纳米线阵列及其制备方法与应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910236576.7

申请日：

2009-10-26

公开(公告)号：

CN101700872A

公开(公告)日：

2010-05-05

发明(设计)人：

朱长飞张中伟刘伟丰

申请人：

申请人地址：

230026 安徽省合肥市金寨路96号中国科技大学科技处

IPC主分类号：

B82B300

IPC分类号：

H01L3118

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司 11245

代理人：

关畅

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-06-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101003219800 IPC(主分类):B82B 3/00 专利申请号:2009102365767 申请日:20091026
2012-07-18	授权	授权
2010-05-05	公开	公开
2021-10-12	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):B82B 3/00 申请日:20091026 授权公告日:20120718 终止日期:20201026

共 50 条

[1]

铜铟硒纳米线阵列及其制备方法与应用 [P].

朱长飞 ;

张中伟 ;

刘伟丰 .

中国专利 :CN101700871A ,2010-05-05

[2]

铜铟镓硒薄膜制备方法 [P].

杨春雷 ;

于冰 ;

程冠铭 ;

冯叶 ;

肖旭东 ;

顾光一 ;

鲍浪 ;

郭延璐 ;

徐苗苗 .

中国专利 :CN103343323A ,2013-10-09

[3]

一种铜铟镓硒薄膜制备方法及铜铟镓硒薄膜 [P].

王文庆 .

中国专利 :CN106229362A ,2016-12-14

[4]

一种铜铟硒碲纳米线的制备方法 [P].

陈铭 ;

沈枭 ;

杜江 .

中国专利 :CN104064628B ,2014-09-24

[5]

铜铟镓硒电池及其制备方法 [P].

李帅 ;

苏青峰 ;

赖建明 ;

张根发 ;

罗军 ;

王长君 ;

马礼敏 ;

郑泽秀 .

中国专利 :CN102544132B ,2012-07-04

[6]

铜铟镓硒或铜铟镓硫或铜铟镓硒硫薄膜太阳能电池吸收层的制备方法 [P].

张弓 ;

庄大明 ;

丁晓峰 ;

韩东麟 ;

查杉 .

中国专利 :CN100413097C ,2006-01-11

[7]

铜纳米线及其制备方法与应用 [P].

高凤伟 ;

卞永俊 ;

侍昌东 ;

潘克菲 ;

姜锴 ;

徐晔 .

中国专利 :CN115156522B ,2025-03-18

[8]

砷化镓纳米线阵列及其制备方法 [P].

李新化 ;

史同飞 ;

刘敏 ;

周步康 ;

马文霞 ;

王玉琦 .

中国专利 :CN104445057A ,2015-03-25

[9]

铜铟镓硒多层薄膜及其制备方法 [P].

徐东 ;

徐永清 ;

叶帅 .

中国专利 :CN103280487A ,2013-09-04

[10]

铜铟镓硒薄膜电池及其制备方法 [P].

王晓峰 .

中国专利 :CN101980368A ,2011-02-23

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