硅纳米线波导与光纤耦合结构及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710711432.7

申请日：

2017-08-18

公开(公告)号：

CN107561640A

公开(公告)日：

2018-01-09

发明(设计)人：

付鑫杨林丁建峰张磊

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

G02B6122

IPC分类号：

G02B6136 G02B613 G02B612 G02B626

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

任岩

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-01-09	公开	公开
2020-09-25	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G02B 6/122 申请公布日:20180109
2018-02-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G02B 6/122 申请日:20170818

共 50 条

[1]

SiON波导与光纤耦合结构及其制作方法 [P].

袁晓君 ;

耿凯鸽 .

中国专利 :CN109445032A ,2019-03-08

[2]

基于聚合物波导的光纤与硅波导耦合结构及其制作方法 [P].

王磊 .

中国专利 :CN104459890B ,2015-03-25

[3]

硅纳米线器件的制作方法 [P].

景旭斌 ;

杨斌 ;

郭明升 .

中国专利 :CN102354669B ,2012-02-15

[4]

与CMOS工艺兼容的硅纳米线器件及其制作方法 [P].

曹永峰 .

中国专利 :CN102299171A ,2011-12-28

[5]

纳米线阵列围栅MOSFET结构及其制作方法 [P].

徐秋霞 ;

周娜 ;

李俊峰 ;

洪培真 ;

许高博 ;

孟令款 ;

贺晓彬 ;

陈大鹏 ;

叶甜春 .

中国专利 :CN108364910A ,2018-08-03

[6]

纳米线结构及其制作方法 [P].

施学浩 .

中国专利 :CN106033769A ,2016-10-19

[7]

一种硅纳米线探针结构的制作方法 [P].

李铁 ;

袁志山 ;

陈云飞 ;

梁晨 ;

张啸 ;

倪中华 ;

易红 ;

王跃林 .

中国专利 :CN104049112A ,2014-09-17

[8]

铂硅纳米线红外探测器及其制作方法 [P].

李华高 ;

熊平 ;

钟四成 .

中国专利 :CN103794673B ,2014-05-14

[9]

一种硅纳米线的制作方法 [P].

田伟 ;

陶继方 ;

温良恭 .

中国专利 :CN121158724A ,2025-12-19

[10]

一种硅纳米线的制作方法 [P].

王慧泉 ;

金仲和 ;

郑阳明 ;

王跃林 ;

李铁 .

中国专利 :CN1958436A ,2007-05-09

← 1 2 3 4 5 →