一种聚偏氟乙烯－乙炔黑高介复合薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710066934.5

申请日：

2007-01-26

公开(公告)号：

CN101007888A

公开(公告)日：

2007-08-01

发明(设计)人：

杜丕一陈倩翁文剑高荣赵高凌汪建勋宋晨路沈鸽徐刚张溪文

申请人：

申请人地址：

310027浙江省杭州市西湖区浙大路38号

IPC主分类号：

C08L2716

IPC分类号：

C08K706 C08J518

代理机构：

杭州求是专利事务所有限公司

代理人：

韩介梅

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-01-20	授权	授权
2007-09-26	实质审查的生效	实质审查的生效
2016-03-23	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101651695559 IPC(主分类):C08L 27/16 专利号:ZL2007100669345 申请日:20070126 授权公告日:20100120 终止日期:20150126
2007-08-01	公开	公开

共 50 条

[1]

聚偏氟乙烯介电复合薄膜及其制备方法 [P].

王海军 ;

张玲 .

中国专利 :CN118852690A ,2024-10-29

[2]

聚偏氟乙烯介电复合薄膜及其制备方法和应用 [P].

王海军 ;

余倩倩 ;

马伊莎 .

中国专利 :CN118852691A ,2024-10-29

[3]

聚偏氟乙烯介电复合薄膜及其制备方法和应用 [P].

王海军 ;

余倩倩 ;

马伊莎 .

中国专利 :CN118852691B ,2025-11-21

[4]

一种钛酸钡/聚偏氟乙烯复合介电薄膜及其制备方法 [P].

崔建东 ;

毛昌辉 ;

杨剑 ;

刘坤 .

中国专利 :CN102558718A ,2012-07-11

[5]

聚偏氟乙烯介电薄膜及其制备方法 [P].

李义涛 ;

程宗盛 ;

张凌飞 ;

吴慧娟 ;

肖文武 ;

黄连红 ;

满金芝 ;

张魁 .

中国专利 :CN110511410A ,2019-11-29

[6]

聚偏氟乙烯高介电膜 [P].

翁凌 ;

李红霞 ;

马成国 .

中国专利 :CN204303756U ,2015-04-29

[7]

高介电常数低介电损耗聚偏氟乙烯基复合薄膜及制备方法 [P].

翁凌 ;

鞠培海 ;

刘立柱 ;

张笑瑞 .

中国专利 :CN105235343A ,2016-01-13

[8]

一种聚偏氟乙烯基介电复合材料、复合薄膜及其制备方法 [P].

王海连 ;

周晓勇 ;

卢泉轩 ;

陈振华 ;

邵春明 ;

蔡怀勋 ;

王曼婷 .

中国专利 :CN119320540A ,2025-01-17

[9]

高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜 [P].

翁凌 ;

鞠培海 ;

刘立柱 ;

张笑瑞 .

中国专利 :CN205528553U ,2016-08-31

[10]

一种高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜及其制备方法和应用 [P].

翁凌 ;

李雪 ;

王小明 .

中国专利 :CN113861596A ,2021-12-31

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