一种掺杂ZrO2阻变存储器及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910086551.3

申请日：

2009-06-09

公开(公告)号：

CN101577308A

公开(公告)日：

2009-11-11

发明(设计)人：

刘明李颖弢龙世兵王琴刘琦张森王艳左青云

申请人：

申请人地址：

100029北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

G11C1156

代理机构：

北京市德权律师事务所

代理人：

王建国

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-11-11	公开	公开
2011-09-14	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101184302376 IPC(主分类):H01L 45/00 专利申请号:2009100865513 公开日:20091111
2010-01-06	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

阻变存储器及其制作方法 [P].

黄鹏 ;

冯玉林 ;

田明 ;

刘力锋 ;

刘晓彦 ;

康晋锋 .

中国专利 :CN111293220A ,2020-06-16

[2]

一种二元金属氧化物阻变存储器及其制作方法 [P].

刘明 ;

李颖弢 ;

龙世兵 ;

王琴 ;

左青云 ;

王艳 ;

刘琦 ;

张森 .

中国专利 :CN101587937A ,2009-11-25

[3]

阻变存储器及其制备方法 [P].

吕杭炳 ;

刘明 ;

龙世兵 ;

刘琦 .

中国专利 :CN107068860B ,2017-08-18

[4]

一种阻变存储器及其制作方法 [P].

刘宇 ;

刘明 ;

胡媛 ;

赵盛杰 ;

路程 ;

张培文 ;

张凯平 .

中国专利 :CN108963070B ,2018-12-07

[5]

阻变存储器及阻变存储器的制造方法 [P].

田伟思 ;

邹荣 ;

官郭沁 ;

王奇伟 ;

陈昊瑜 .

中国专利 :CN111312895A ,2020-06-19

[6]

一种阻变存储器及其制作方法 [P].

许晓欣 ;

孙文绚 ;

余杰 ;

董大年 ;

赖锦茹 ;

吕杭炳 .

中国专利 :CN112864318B ,2021-05-28

[7]

阻变存储器及其制作方法 [P].

唐建石 ;

郑千泽 ;

马呈翔 ;

黄怡龙 ;

姜悦麟 ;

李世举 ;

贺晓东 ;

武咏琴 ;

卜伟海 ;

吴华强 .

中国专利 :CN118450714A ,2024-08-06

[8]

阻变存储器及其制作方法 [P].

田敏 ;

李立 ;

王志刚 .

中国专利 :CN109411601A ,2019-03-01

[9]

一种阻变存储器的制造方法及阻变存储器 [P].

左青云 ;

卢意飞 .

中国专利 :CN118284322A ,2024-07-02

[10]

一种阻变存储器及其制作方法 [P].

赵鸿滨 ;

屠海令 .

中国专利 :CN105789433A ,2016-07-20

← 1 2 3 4 5 →