一种二元金属氧化物阻变存储器及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910302938.8

申请日：

2009-06-04

公开(公告)号：

CN101587937A

公开(公告)日：

2009-11-25

发明(设计)人：

刘明李颖弢龙世兵王琴左青云王艳刘琦张森

申请人：

申请人地址：

100029北京市北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

代理机构：

北京市德权律师事务所

代理人：

刘铁生

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-01-20	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-11-25	公开	公开
2011-04-06	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 45/00 专利申请号:2009103029388 公开日:20091125 号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101079710856

共 50 条

[1]

二元过渡族金属氧化物非挥发电阻转变型存储器 [P].

刘琦 ;

刘明 ;

龙世兵 ;

贾锐 ;

管伟华 .

中国专利 :CN101471421B ,2009-07-01

[2]

一种等离子体处理制备金属氧化物薄膜阻变存储器的方法 [P].

吴传贵 ;

孙翔宇 ;

帅垚 ;

潘忻强 ;

白晓园 ;

张万里 .

中国专利 :CN106098937A ,2016-11-09

[3]

一种降低阻变存储器操作电压的方法及其阻变存储器 [P].

李颖弢 ;

李晓燕 .

中国专利 :CN109411600A ,2019-03-01

[4]

一种电阻转变型存储器及其制作方法 [P].

刘明 ;

李颖弢 ;

龙世兵 ;

王琴 ;

刘琦 ;

张森 ;

王艳 ;

左青云 .

中国专利 :CN101577310A ,2009-11-11

[5]

金属氧化物阻变存储器及制造方法 [P].

陈广龙 ;

唐立文 ;

陈昊瑜 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN103094301B ,2013-05-08

[6]

一种掺杂ZrO2阻变存储器及其制作方法 [P].

刘明 ;

李颖弢 ;

龙世兵 ;

王琴 ;

刘琦 ;

张森 ;

王艳 ;

左青云 .

中国专利 :CN101577308A ,2009-11-11

[7]

一种阻变存储器的制造方法及阻变存储器 [P].

左青云 ;

卢意飞 .

中国专利 :CN118284322A ,2024-07-02

[8]

一种稀土氧化物作为存储层的全透明阻变存储器及其制作方法 [P].

赵鸿滨 ;

屠海令 ;

魏峰 ;

杜军 .

中国专利 :CN104425712A ,2015-03-18

[9]

一种柔性透明过渡金属氧化物阻变存储器及其制备方法 [P].

叶葱 ;

张儒林 ;

何品 ;

韦晓迪 ;

夏晴 ;

张立 .

中国专利 :CN108470827A ,2018-08-31

[10]

阻变存储器及其制备方法 [P].

吕杭炳 ;

刘明 ;

龙世兵 ;

刘琦 .

中国专利 :CN107068860B ,2017-08-18

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