一种等离子体处理制备金属氧化物薄膜阻变存储器的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610704333.1

申请日：

2016-08-22

公开(公告)号：

CN106098937A

公开(公告)日：

2016-11-09

发明(设计)人：

吴传贵孙翔宇帅垚潘忻强白晓园张万里

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

H01L213065

代理机构：

电子科技大学专利中心 51203

代理人：

张杨

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-08-21	授权	授权
2016-11-09	公开	公开
2016-12-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101692493562 IPC(主分类):H01L 45/00 专利申请号:2016107043331 申请日:20160822

共 50 条

[1]

一种二元金属氧化物阻变存储器及其制作方法 [P].

刘明 ;

李颖弢 ;

龙世兵 ;

王琴 ;

左青云 ;

王艳 ;

刘琦 ;

张森 .

中国专利 :CN101587937A ,2009-11-25

[2]

一种降低阻变存储器操作电压的方法及其阻变存储器 [P].

李颖弢 ;

李晓燕 .

中国专利 :CN109411600A ,2019-03-01

[3]

金属氧化物阻变存储器及制造方法 [P].

陈广龙 ;

唐立文 ;

陈昊瑜 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN103094301B ,2013-05-08

[4]

一种阻变存储器的制造方法及阻变存储器 [P].

左青云 ;

卢意飞 .

中国专利 :CN118284322A ,2024-07-02

[5]

一种阻变存储器的制备方法 [P].

张启龙 ;

张剑 ;

杨辉 .

中国专利 :CN103441214B ,2013-12-11

[6]

阻变存储器中金属氧化物层的形成方法 [P].

吴华强 ;

白越 ;

吴明昊 ;

钱鹤 .

中国专利 :CN103325941B ,2013-09-25

[7]

一种改进的氧化物薄膜阻变存储器及其改进方法 [P].

翟继卫 ;

周歧刚 .

中国专利 :CN102820428A ,2012-12-12

[8]

一种基于等离子体处理有源层的金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法 [P].

赵万鹏 ;

叶志 .

中国专利 :CN114823349A ,2022-07-29

[9]

单晶金属氧化物等离子体室部件 [P].

许临 ;

道格拉斯·德特尔特 ;

约翰·多尔蒂 ;

潘卡基·哈扎里卡 ;

萨蒂什·斯里尼瓦桑 ;

纳什·W·安德森 ;

约翰·迈克尔·克恩斯 ;

罗宾·科什伊 ;

大卫·约瑟夫·韦策尔 ;

刘磊 ;

埃里克·A·派普 .

中国专利 :CN114631167A ,2022-06-14

[10]

一种氧化物薄膜阻变存储器多级阻态的电压调控方法 [P].

李岚 ;

杨鹏城 ;

徐建萍 ;

石少波 ;

刘丁 ;

许江华 .

中国专利 :CN111462796A ,2020-07-28

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