一种改进的氧化物薄膜阻变存储器及其改进方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210333374.6

申请日：

2012-09-11

公开(公告)号：

CN102820428A

公开(公告)日：

2012-12-12

发明(设计)人：

翟继卫周歧刚

申请人：

申请人地址：

200092 上海市杨浦区四平路1239号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

代理机构：

上海光华专利事务所 31219

代理人：

许亦琳;余明伟

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-05-13	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101715220018 IPC(主分类):H01L 45/00 专利申请号:2012103333746 申请公布日:20121212
2013-01-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101389918793 IPC(主分类):H01L 45/00 专利申请号:2012103333746 申请日:20120911
2012-12-12	公开	公开

共 50 条

[1]

一种氧化物薄膜阻变存储器多级阻态的电压调控方法 [P].

李岚 ;

杨鹏城 ;

徐建萍 ;

石少波 ;

刘丁 ;

许江华 .

中国专利 :CN111462796A ,2020-07-28

[2]

一种制作阻变非挥发性存储器阻变层氧化物薄膜的方法 [P].

孙海涛 ;

刘明 ;

龙世兵 ;

吕杭炳 ;

刘琦 ;

刘宇 ;

张康玮 ;

路程 ;

杨洪璋 .

中国专利 :CN103400938A ,2013-11-20

[3]

一种含叠层氧化物介质的阻变存储器及其制造方法 [P].

倪金玉 .

中国专利 :CN120265116A ,2025-07-04

[4]

一种具有双层氧化物层的阻变存储器件及其制备方法 [P].

李钦 ;

胡浩威 .

中国专利 :CN108198936A ,2018-06-22

[5]

一种降低阻变存储器操作电压的方法及其阻变存储器 [P].

李颖弢 ;

李晓燕 .

中国专利 :CN109411600A ,2019-03-01

[6]

一种基于单晶氧化物的柔性阻变存储器及其制备方法 [P].

王添 ;

宇峰 ;

郭艺婷 ;

谢晓帆 ;

杨峰 .

中国专利 :CN119744113A ,2025-04-01

[7]

一种稀土氧化物作为存储层的全透明阻变存储器及其制作方法 [P].

赵鸿滨 ;

屠海令 ;

魏峰 ;

杜军 .

中国专利 :CN104425712A ,2015-03-18

[8]

阻变存储器中钨氧化物变阻材料的制备方法 [P].

许毅胜 ;

熊涛 ;

陈广龙 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN103794718A ,2014-05-14

[9]

金属氧化物阻变存储器及制造方法 [P].

陈广龙 ;

唐立文 ;

陈昊瑜 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN103094301B ,2013-05-08

[10]

一种柔性透明过渡金属氧化物阻变存储器及其制备方法 [P].

叶葱 ;

张儒林 ;

何品 ;

韦晓迪 ;

夏晴 ;

张立 .

中国专利 :CN108470827A ,2018-08-31

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