一种含叠层氧化物介质的阻变存储器及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510233903.2

申请日：

2025-02-27

公开(公告)号：

CN120265116A

公开(公告)日：

2025-07-04

发明(设计)人：

倪金玉

申请人：

中国电子科技南湖研究院

申请人地址：

314000 浙江省嘉兴市南湖区七星路111号

IPC主分类号：

H10N70/20

IPC分类号：

H10N70/00 H10B63/00

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-22	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10N 70/20申请日:20250227
2025-07-04	公开	公开

共 50 条

[1]

一种改进的氧化物薄膜阻变存储器及其改进方法 [P].

翟继卫 ;

周歧刚 .

中国专利 :CN102820428A ,2012-12-12

[2]

一种叠层结构的氧化铪基阻变存储器及其制备方法和应用 [P].

蒋艳平 ;

唐佳宇 ;

刘秋香 ;

唐新桂 ;

郭晓斌 ;

冯健豪 .

中国专利 :CN118510286A ,2024-08-16

[3]

一种稀土氧化物作为存储层的全透明阻变存储器及其制作方法 [P].

赵鸿滨 ;

屠海令 ;

魏峰 ;

杜军 .

中国专利 :CN104425712A ,2015-03-18

[4]

金属氧化物阻变存储器及制造方法 [P].

陈广龙 ;

唐立文 ;

陈昊瑜 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN103094301B ,2013-05-08

[5]

阻变存储器、阻变元件、阻变层及其制备方法 [P].

苏小丽 ;

邱泰玮 ;

程恩萍 ;

沈鼎瀛 .

中国专利 :CN118984644A ,2024-11-19

[6]

一种具有双层氧化物层的阻变存储器件及其制备方法 [P].

李钦 ;

胡浩威 .

中国专利 :CN108198936A ,2018-06-22

[7]

基于P/N型氧化物叠层结构的阻变存储器及其制备方法 [P].

张楷亮 ;

宋凯 ;

王芳 ;

王兰兰 ;

赵金石 .

中国专利 :CN102130297B ,2011-07-20

[8]

一种可调控介质层磁性的阻变存储器 [P].

宋成 ;

潘峰 ;

陈光 ;

彭晶晶 .

中国专利 :CN102738391A ,2012-10-17

[9]

一种制作阻变非挥发性存储器阻变层氧化物薄膜的方法 [P].

孙海涛 ;

刘明 ;

龙世兵 ;

吕杭炳 ;

刘琦 ;

刘宇 ;

张康玮 ;

路程 ;

杨洪璋 .

中国专利 :CN103400938A ,2013-11-20

[10]

阻变存储器中金属氧化物层的形成方法 [P].

吴华强 ;

白越 ;

吴明昊 ;

钱鹤 .

中国专利 :CN103325941B ,2013-09-25

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