阻变存储器中金属氧化物层的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310217879.0

申请日：

2013-06-03

公开(公告)号：

CN103325941B

公开(公告)日：

2013-09-25

发明(设计)人：

吴华强白越吴明昊钱鹤

申请人：

申请人地址：

100084 北京市海淀区100084-82信箱

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

代理机构：

北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201

代理人：

张大威

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-03-23	授权	授权
2013-10-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101533529435 IPC(主分类):H01L 45/00 专利申请号:2013102178790 申请日:20130603
2013-09-25	公开	公开
2018-09-25	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 45/00 登记生效日:20180906 变更事项:专利权人变更前权利人:清华大学变更后权利人:北京新忆科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:100084 北京市海淀区100084-82信箱变更后权利人:100084 北京市海淀区中关村智造大街D栋315

共 50 条

[1]

金属氧化物阻变存储器及制造方法 [P].

陈广龙 ;

唐立文 ;

陈昊瑜 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN103094301B ,2013-05-08

[2]

阻变存储器中钨氧化物变阻材料的制备方法 [P].

许毅胜 ;

熊涛 ;

陈广龙 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN103794718A ,2014-05-14

[3]

阻变存储器中下电极层的形成方法 [P].

吴明昊 ;

白越 ;

吴华强 ;

钱鹤 .

中国专利 :CN103258953A ,2013-08-21

[4]

一种掺杂金属氧化物的阻变式随机存取存储器 [P].

沈棕杰 ;

赵春 ;

赵策洲 ;

杨莉 ;

罗天 ;

张艺 ;

黄彦博 .

中国专利 :CN210272426U ,2020-04-07

[5]

金属氧化物层的形成 [P].

拉马·I·赫格德 .

中国专利 :CN109003881A ,2018-12-14

[6]

具有金属氧化物涂层的引线框架及其形成方法 [P].

L·M·C·迪迪奥 .

中国专利 :CN111384019A ,2020-07-07

[7]

一种掺杂金属氧化物的阻变式随机存取存储器及制备方法 [P].

沈棕杰 ;

赵春 ;

赵策洲 ;

杨莉 ;

罗天 ;

张艺 ;

黄彦博 .

中国专利 :CN110299448B ,2024-12-31

[8]

一种掺杂金属氧化物的阻变式随机存取存储器及制备方法 [P].

沈棕杰 ;

赵春 ;

赵策洲 ;

杨莉 ;

罗天 ;

张艺 ;

黄彦博 .

中国专利 :CN110299448A ,2019-10-01

[9]

蚀刻金属氧化物层的方法和形成金属氧化物层的相关方法 [P].

C·德泽拉 ;

P·罗梅罗 ;

B·维穆伦 ;

A·莱昂哈特 .

:CN120690687A ,2025-09-23

[10]

电阻存储器的形成方法 [P].

洪中山 ;

卢炯平 .

中国专利 :CN102347441A ,2012-02-08

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