阻变存储器中钨氧化物变阻材料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210427831.8

申请日：

2012-10-31

公开(公告)号：

CN103794718A

公开(公告)日：

2014-05-14

发明(设计)人：

许毅胜熊涛陈广龙陈华伦

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

C23C1640

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

刘昌荣

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-06-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101582907064 IPC(主分类):H01L 45/00 专利申请号:2012104278318 申请日:20121031
2017-09-08	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101758815264 IPC(主分类):H01L 45/00 专利申请号:2012104278318 申请公布日:20140514
2014-05-14	公开	公开

共 50 条

[1]

阻变存储器的制备方法及阻变存储器 [P].

刘力锋 ;

于迪 ;

陈冰 ;

王琰 ;

傅亦晗 ;

韩德栋 ;

王漪 ;

刘晓彦 ;

康晋锋 ;

张兴 .

中国专利 :CN102655211B ,2012-09-05

[2]

氧化钨阻变存储器的制备方法 [P].

唐立文 ;

郁新举 ;

陈昊瑜 ;

陈广龙 ;

陈华伦 ;

袁苑 .

中国专利 :CN103094473B ,2013-05-08

[3]

阻变存储器、阻变元件、阻变层及其制备方法 [P].

苏小丽 ;

邱泰玮 ;

程恩萍 ;

沈鼎瀛 .

中国专利 :CN118984644A ,2024-11-19

[4]

金属氧化物阻变存储器及制造方法 [P].

陈广龙 ;

唐立文 ;

陈昊瑜 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN103094301B ,2013-05-08

[5]

阻变存储器以及阻变存储器的制备方法 [P].

高滨 ;

陆禹尧 ;

席悦 ;

杨司瑶 ;

胡若飞 ;

江之行 ;

马呈翔 ;

唐建石 ;

吴华强 ;

钱鹤 .

中国专利 :CN120129457A ,2025-06-10

[6]

阻变存储器和阻变存储器的制备方法 [P].

刘业帆 .

中国专利 :CN117355146A ,2024-01-05

[7]

阻变存储器的制备方法及阻变存储器 [P].

王晨 ;

蔡秉锜 ;

陈鲲 ;

陈琳 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN120882005A ,2025-10-31

[8]

阻变存储器中金属氧化物层的形成方法 [P].

吴华强 ;

白越 ;

吴明昊 ;

钱鹤 .

中国专利 :CN103325941B ,2013-09-25

[9]

阻变存储器的钨薄膜制备方法 [P].

陈亮 ;

仇圣棻 ;

杨芸 ;

李晓波 ;

杨瑞鹏 ;

曹恒 .

中国专利 :CN112201748A ,2021-01-08

[10]

阻变存储器的钨薄膜制备方法 [P].

仇圣棻 .

中国专利 :CN112201748B ,2024-04-16

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