氧化钨阻变存储器的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110344324.3

申请日：

2011-11-04

公开(公告)号：

CN103094473B

公开(公告)日：

2013-05-08

发明(设计)人：

唐立文郁新举陈昊瑜陈广龙陈华伦袁苑

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

丁纪铁

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-06-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101468522017 IPC(主分类):H01L 45/00 专利申请号:2011103443243 申请日:20111104
2014-02-12	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101691689789 IPC(主分类):H01L 45/00 专利申请号:2011103443243 变更事项:申请人变更前权利人:上海华虹NEC电子有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201206 上海市浦东新区川桥路1188号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140116
2015-04-08	授权	授权
2013-05-08	公开	公开

共 50 条

[1]

氧化钨阻变存储器的制造方法 [P].

吴智勇 ;

郁新举 ;

黄志刚 .

中国专利 :CN103165812B ,2013-06-19

[2]

一种具有复原缓变阻变特性的氧化钨异质结基阻变存储器及其制备方法 [P].

朱媛媛 ;

吴春扬 ;

王红军 ;

陈梦瑶 .

中国专利 :CN118946247A ,2024-11-12

[3]

阻变存储器中钨氧化物变阻材料的制备方法 [P].

许毅胜 ;

熊涛 ;

陈广龙 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN103794718A ,2014-05-14

[4]

阻变存储器的钨薄膜制备方法 [P].

仇圣棻 .

中国专利 :CN112201748B ,2024-04-16

[5]

阻变存储器的钨薄膜制备方法 [P].

陈亮 ;

仇圣棻 ;

杨芸 ;

李晓波 ;

杨瑞鹏 ;

曹恒 .

中国专利 :CN112201748A ,2021-01-08

[6]

阻变存储器以及阻变存储器的制备方法 [P].

高滨 ;

陆禹尧 ;

席悦 ;

杨司瑶 ;

胡若飞 ;

江之行 ;

马呈翔 ;

唐建石 ;

吴华强 ;

钱鹤 .

中国专利 :CN120129457A ,2025-06-10

[7]

阻变存储器和阻变存储器的制备方法 [P].

刘业帆 .

中国专利 :CN117355146A ,2024-01-05

[8]

阻变存储器的制备方法及阻变存储器 [P].

刘力锋 ;

于迪 ;

陈冰 ;

王琰 ;

傅亦晗 ;

韩德栋 ;

王漪 ;

刘晓彦 ;

康晋锋 ;

张兴 .

中国专利 :CN102655211B ,2012-09-05

[9]

阻变存储器的制备方法及阻变存储器 [P].

王晨 ;

蔡秉锜 ;

陈鲲 ;

陈琳 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN120882005A ,2025-10-31

[10]

阻变存储器的制造方法及阻变存储器 [P].

杨芸 ;

仇圣棻 ;

陈亮 ;

李晓波 .

中国专利 :CN116322286B ,2025-04-25

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