一种具有复原缓变阻变特性的氧化钨异质结基阻变存储器及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202410992293.X
申请日
2024-07-23
公开(公告)号
CN118946247A
公开(公告)日
2024-11-12
发明(设计)人
朱媛媛 吴春扬 王红军 陈梦瑶
申请人
陕西科技大学
申请人地址
710021 陕西省西安市未央区大学园
IPC主分类号
H10N70/00
IPC分类号
H10N70/20
代理机构
北京中巡通大知识产权代理有限公司 11703
代理人
郭瑶
法律状态
公开
国省代码
陕西省 西安市
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共 50 条
[1]
氧化钨阻变存储器的制备方法 [P]. 
唐立文 ;
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陈昊瑜 ;
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[2]
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苏小丽 ;
邱泰玮 ;
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[3]
氧化钨阻变存储器的制造方法 [P]. 
吴智勇 ;
郁新举 ;
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[4]
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庞体强 ;
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[5]
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[6]
一种降低阻变存储器操作电压的方法及其阻变存储器 [P]. 
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[7]
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[8]
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吕杭炳 ;
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[9]
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许晓欣 ;
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[10]
一种阻变特性优化的阻变存储器及其制备方法 [P]. 
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