制造纳米结构半导体发光器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201480011240.X

申请日：

2014-01-28

公开(公告)号：

CN105009309B

公开(公告)日：

2015-10-28

发明(设计)人：

车南求柳建旭成汉珪

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L3320

IPC分类号：

H01L3304 H01L3308

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

张帆;张青

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-12-05	授权	授权
2015-10-28	公开	公开
2015-11-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101634404790 IPC(主分类):H01L 33/20 专利申请号:201480011240X 申请日:20140128

共 50 条

[1]

纳米结构半导体发光器件 [P].

徐软瑀 ;

金定燮 ;

崔荣进 ;

丹尼斯·桑尼科夫 ;

成汉珪 ;

千大明 ;

许在赫 .

中国专利 :CN105765741A ,2016-07-13

[2]

半导体发光器件以及制造半导体发光器件的方法 [P].

仓桥孝尚 ;

中津弘志 ;

村上哲朗 ;

大山尚一 .

中国专利 :CN1319183C ,2004-05-19

[3]

半导体发光器件、半导体发光装置以及制造半导体发光器件的方法 [P].

村本卫司 ;

布上真也 ;

冈俊行 .

中国专利 :CN102326265B ,2012-01-18

[4]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

金相沇 ;

孙宗洛 ;

金起范 ;

李守烈 ;

金容一 .

中国专利 :CN102800773A ,2012-11-28

[5]

半导体发光器件及制造该半导体发光器件的方法 [P].

郑太逸 ;

金英采 ;

金善万 ;

韩睿志 ;

朴清勋 ;

崔炳均 ;

姜世恩 .

中国专利 :CN102956786A ,2013-03-06

[6]

半导体发光器件和制造该半导体发光器件的方法 [P].

尹浩相 ;

沈相均 .

中国专利 :CN101765924A ,2010-06-30

[7]

半导体发光器件和用于制造半导体发光器件的方法 [P].

北林弘之 ;

松原秀树 .

中国专利 :CN101981712A ,2011-02-23

[8]

制造半导体发光器件的方法 [P].

崔承奎 ;

郭雨澈 ;

金材宪 ;

郑廷桓 ;

张三硕 .

中国专利 :CN104518062B ,2015-04-15

[9]

制造半导体发光器件的方法 [P].

金起范 ;

许元九 ;

崔丞佑 ;

李承宰 ;

李时赫 ;

金台勋 .

中国专利 :CN102903814A ,2013-01-30

[10]

制造半导体发光器件的方法 [P].

郑畴溶 .

中国专利 :CN101807655B ,2010-08-18

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