适用于射频MEMS器件应用的横向互连低温圆片级封装结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201620511313.8

申请日：

2016-05-31

公开(公告)号：

CN205773305U

公开(公告)日：

2016-12-07

发明(设计)人：

刘泽文吴永强

申请人：

申请人地址：

215000 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号西北区9栋402室

IPC主分类号：

B81B700

IPC分类号：

代理机构：

北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357

代理人：

刘洪勋

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-12-07	授权	授权

共 50 条

[1]

针对射频MEMS器件应用的横向互连低温圆片级封装方法 [P].

刘泽文 ;

吴永强 .

中国专利 :CN106115608B ,2017-08-11

[2]

MEMS圆片级真空封装横向互连结构及其制造方法 [P].

汪学方 ;

刘川 ;

张卓 ;

罗小兵 ;

甘志银 ;

张鸿海 ;

刘胜 .

中国专利 :CN101746706A ,2010-06-23

[3]

圆片级MEMS惯性器件TSV堆叠封装结构 [P].

邵长治 ;

孙博华 ;

王琳 ;

孙明 ;

郭伟恒 ;

孙雷 ;

田晓丹 ;

周源 ;

覃昭君 .

中国专利 :CN202508874U ,2012-10-31

[4]

用于射频微机电系统的圆片级封装结构 [P].

刘泽文 ;

龚著浩 .

中国专利 :CN206654730U ,2017-11-21

[5]

MEMS器件圆片级真空封装方法 [P].

徐永青 ;

杨拥军 ;

胥超 ;

罗蓉 .

中国专利 :CN101780942B ,2010-07-21

[6]

适用于低温键合式封装结构 [P].

刘泽文 ;

杨中宝 ;

龚著浩 .

中国专利 :CN207451615U ,2018-06-05

[7]

用于惯性MEMS器件的加工方法及圆片级封装的方法 [P].

盛洁 ;

尚克军 ;

刘飞 ;

车一卓 ;

王妍妍 ;

苏翼 ;

王登顺 ;

刘韧 .

中国专利 :CN120646757A ,2025-09-16

[8]

MEMS圆片级封装的划片方法 [P].

尚金堂 ;

陈波寅 ;

徐超 ;

张迪 ;

柳俊文 ;

黄庆安 .

中国专利 :CN101698467A ,2010-04-28

[9]

制备圆片级MEMS惯性器件TSV堆叠封装结构的方法 [P].

邵长治 ;

孙博华 ;

王琳 ;

孙明 ;

郭伟恒 ;

孙雷 ;

田晓丹 ;

周源 ;

覃昭君 .

中国专利 :CN103213936B ,2013-07-24

[10]

一种MEMS器件的圆片级真空封装方法 [P].

于晓梅 ;

周晓雄 ;

袁明泉 ;

杨建成 .

中国专利 :CN102351141A ,2012-02-15

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