电流限制电路及半导体存储装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610101909.1

申请日：

2006-07-11

公开(公告)号：

CN1897155A

公开(公告)日：

2007-01-17

发明(设计)人：

塚田修一

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

G11C1134

IPC分类号：

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

陆锦华;谢丽娜

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-03-14	实质审查的生效	实质审查的生效
2014-06-04	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101701508392 IPC(主分类):G11C 11/34 专利号:ZL2006101019091 变更事项:专利权人变更前权利人:尔必达存储器株式会社变更后权利人:美光科技公司变更事项:地址变更前权利人:日本东京变更后权利人:美国爱达荷州登记生效日:20140512
2009-08-26	授权	授权
2007-01-17	公开	公开

共 50 条

[1]

电流检测电路及半导体存储装置 [P].

荒川贤一 .

中国专利 :CN104835523A ,2015-08-12

[2]

半导体集成电路及半导体存储装置 [P].

清水优 ;

井上谕 ;

藤沢公 ;

高田由美 .

中国专利 :CN113658621A ,2021-11-16

[3]

半导体集成电路及半导体存储装置 [P].

清水优 ;

井上谕 ;

藤沢公 ;

高田由美 .

日本专利 :CN113658621B ,2024-04-12

[4]

半导体存储装置 [P].

阿部克巳 ;

吉原正浩 .

中国专利 :CN104064215A ,2014-09-24

[5]

半导体存储装置 [P].

二山拓也 ;

白川政信 .

中国专利 :CN110739011A ,2020-01-31

[6]

半导体存储装置 [P].

林奎南 ;

张雄周 .

中国专利 :CN103165165B ,2013-06-19

[7]

半导体存储装置 [P].

山内祥光 .

中国专利 :CN104205228A ,2014-12-10

[8]

半导体存储装置 [P].

饭田真久 .

中国专利 :CN102216996A ,2011-10-12

[9]

半导体存储装置 [P].

新居浩二 .

中国专利 :CN1402354A ,2003-03-12

[10]

半导体存储装置 [P].

坂口奈津希 ;

前田高志 ;

船附里英子 ;

滋贺秀裕 .

日本专利 :CN117746932A ,2024-03-22

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