一种高可靠性贴片功率器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201721713250.5

申请日：

2017-12-11

公开(公告)号：

CN207558782U

公开(公告)日：

2018-06-29

发明(设计)人：

李科蔡少峰

申请人：

申请人地址：

629000 四川省遂宁市经济技术开发区电子工业园A区立泰电子

IPC主分类号：

H01L2349

IPC分类号：

H01L23367 H01L23373 H01L2331

代理机构：

成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211

代理人：

蒋斯琪

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-06-29	授权	授权

共 50 条

[1]

高可靠性功率器件 [P].

何洪运 ;

郝艳霞 ;

刘玉龙 ;

沈加勇 .

中国专利 :CN208538826U ,2019-02-22

[2]

高可靠性功率器件 [P].

吴炆皜 ;

何洪运 ;

郝艳霞 .

中国专利 :CN215578511U ,2022-01-18

[3]

高可靠性的功率器件 [P].

何洪运 ;

郝艳霞 ;

沈加勇 .

中国专利 :CN212750868U ,2021-03-19

[4]

高可靠性超结功率器件 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 ;

周锦程 ;

李宗清 .

中国专利 :CN216597593U ,2022-05-24

[5]

高可靠性屏蔽栅功率器件 [P].

徐真逸 ;

杨飞 ;

吴凯 ;

张广银 ;

朱阳军 .

中国专利 :CN216902953U ,2022-07-05

[6]

高可靠性垂直功率MOS器件 [P].

陈译 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN212161821U ,2020-12-15

[7]

高可靠性功率器件及其制备方法 [P].

许龙来 ;

王荣华 ;

章文红 ;

梁凯 .

中国专利 :CN115548121B ,2025-10-21

[8]

高可靠性深沟槽功率MOS器件 [P].

黄彦智 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN208835068U ,2019-05-07

[9]

高可靠性功率器件及其制备方法 [P].

许龙来 ;

王荣华 ;

章文红 ;

梁凯 .

中国专利 :CN115548121A ,2022-12-30

[10]

一种具有高可靠性封装结构的功率器件 [P].

汤佳铭 ;

毛先叶 ;

林雨晨 .

中国专利 :CN222051744U ,2024-11-22

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