半导体结构及其制备工艺以及半导体器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201811345558.8
申请日
2018-11-13
公开(公告)号
CN111180417A
公开(公告)日
2020-05-19
发明(设计)人
林鼎佑 其他发明人请求不公开姓名
申请人
申请人地址
230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
IPC主分类号
H01L23538
IPC分类号
H01L21768
代理机构
北京律智知识产权代理有限公司 11438
代理人
袁礼君;阚梓瑄
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体结构及其制备工艺以及半导体器件 [P]. 
林鼎佑 ;
其他发明人请求不公开姓名 .
中国专利 :CN111180416A ,2020-05-19
[2]
半导体结构及其制备工艺以及半导体器件 [P]. 
请求不公布姓名 ;
林鼎佑 .
中国专利 :CN111180417B ,2025-01-10
[3]
半导体结构及其制备工艺以及半导体器件 [P]. 
请求不公布姓名 ;
林鼎佑 .
中国专利 :CN111180416B ,2025-04-25
[4]
半导体结构以及半导体器件 [P]. 
林鼎佑 ;
其他发明人请求不公开姓名 .
中国专利 :CN209119092U ,2019-07-16
[5]
半导体结构以及半导体器件 [P]. 
林鼎佑 ;
其他发明人请求不公开姓名 .
中国专利 :CN208835055U ,2019-05-07
[6]
半导体器件、半导体结构及其制备方法 [P]. 
周维杰 ;
常靖华 .
中国专利 :CN119866047A ,2025-04-22
[7]
半导体器件、半导体结构及其制备方法 [P]. 
白杰 .
中国专利 :CN112885780A ,2021-06-01
[8]
半导体结构以及半导体器件 [P]. 
刘浩文 ;
马万里 ;
闫正坤 .
中国专利 :CN119153538A ,2024-12-17
[9]
半导体结构以及半导体器件 [P]. 
闫正坤 ;
马万里 ;
刘浩文 ;
蔡红卫 .
中国专利 :CN223571579U ,2025-11-21
[10]
半导体结构以及半导体器件 [P]. 
刘浩文 ;
闫正坤 ;
马万里 .
中国专利 :CN119153539A ,2024-12-17