碳化硅高温退火表面保护的制作方法及碳化硅功率器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811391524.2

申请日：

2018-11-21

公开(公告)号：

CN109494150A

公开(公告)日：

2019-03-19

发明(设计)人：

李波胡泽先刘亚亮秦龙张力江

申请人：

申请人地址：

050051 河北省石家庄市合作路113号

IPC主分类号：

H01L2104

IPC分类号：

H01L21324

代理机构：

石家庄国为知识产权事务所 13120

代理人：

赵宝琴

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-03-19	公开	公开
2021-06-08	授权	授权
2019-04-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/04 申请日:20181121
2020-01-10	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 21/04 登记生效日:20191220 变更事项:申请人变更前权利人:中国电子科技集团公司第十三研究所变更后权利人:北京国联万众半导体科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:050051 河北省石家庄市合作路113号变更后权利人:101300 北京市顺义区高丽营镇文化营村北(临空二路1号)

共 50 条

[1]

适用于高温的碳化硅欧姆接触制作方法及碳化硅功率器件 [P].

谭永亮 ;

张力江 ;

默江辉 ;

杨中月 ;

李亮 .

中国专利 :CN109524456A ,2019-03-26

[2]

碳化硅功率器件及碳化硅功率器件的制备方法 [P].

魏林程 ;

倪炜江 ;

郝志杰 .

中国专利 :CN119364809A ,2025-01-24

[3]

碳化硅功率器件的制作方法 [P].

陈俭 .

中国专利 :CN115101591A ,2022-09-23

[4]

碳化硅器件非合金欧姆接触的制作方法及碳化硅器件 [P].

刘相伍 ;

谭永亮 ;

周国 ;

闫锐 ;

崔玉兴 .

中国专利 :CN109524298A ,2019-03-26

[5]

碳化硅功率器件的制备方法及其碳化硅功率器件 [P].

连建伟 ;

林志东 .

中国专利 :CN118800798A ,2024-10-18

[6]

碳化硅功率器件及其制作方法 [P].

罗曦溪 .

中国专利 :CN120751750B ,2025-12-12

[7]

碳化硅功率器件及其制作方法 [P].

胡洪兴 ;

蔡文必 ;

郭飞 ;

郭锦鹏 ;

周永田 ;

王勇 ;

陶永洪 .

中国专利 :CN113707710A ,2021-11-26

[8]

碳化硅功率器件及其制作方法 [P].

罗曦溪 .

中国专利 :CN120751750A ,2025-10-03

[9]

碳化硅复合MOS器件及碳化硅复合MOS器件的制作方法 [P].

江涛 ;

周义 ;

夏晨阳 ;

李蒙华 .

中国专利 :CN113725084A ,2021-11-30

[10]

碳化硅功率器件结终端结构及制造方法、碳化硅功率器件 [P].

贺冠中 .

中国专利 :CN111192821A ,2020-05-22

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