一种硅基负极材料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811572253.0

申请日：

2018-12-21

公开(公告)号：

CN109686942A

公开(公告)日：

2019-04-26

发明(设计)人：

高波朱广林杨东升王艺璇涂赣峰

申请人：

申请人地址：

110819 辽宁省沈阳市和平区文化路3号巷11号

IPC主分类号：

H01M436

IPC分类号：

H01M438 H01M462 H01M100525

代理机构：

沈阳东大知识产权代理有限公司 21109

代理人：

宁佳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-05-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01M 4/36 申请日:20181221
2022-12-30	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01M 4/36 申请公布日:20190426
2019-04-26	公开	公开

共 50 条

[1]

一种锂离子电池硅基负极材料的制备方法 [P].

王胜彬 ;

张超 ;

张臻 ;

黄杰 .

中国专利 :CN110844910A ,2020-02-28

[2]

一种复合结构硅基负极材料的制备方法 [P].

李绍元 ;

王雷 ;

马文会 ;

席风硕 ;

陆继军 ;

童仲秋 ;

魏奎先 ;

陈正杰 .

中国专利 :CN118867191A ,2024-10-29

[3]

一种硅基负极材料 [P].

薛旭金 ;

孙永明 ;

薛峰峰 ;

李云峰 ;

李凌云 ;

李霞 ;

李洁 ;

李富斌 ;

施翠莲 ;

王晓兵 .

中国专利 :CN112786848A ,2021-05-11

[4]

一种核壳结构硅基负极材料的制备方法 [P].

丁男 ;

林少雄 ;

刘超辉 .

中国专利 :CN112216826A ,2021-01-12

[5]

一种硅基负极材料及其方法 [P].

王秀田 ;

曾绍忠 ;

赵志刚 ;

陈效华 .

中国专利 :CN104112847B ,2014-10-22

[6]

一种硅基负极材料及其制备方法和应用 [P].

王秀田 ;

曾绍忠 ;

赵志刚 ;

陈效华 .

中国专利 :CN104332594B ,2015-02-04

[7]

一种硅基负极材料及其制备方法、硅基负极极片和锂离子电池 [P].

李喜飞 ;

李皓琪 ;

李明 ;

徐鹤 ;

陈小蕊 .

中国专利 :CN120767302A ,2025-10-10

[8]

一种硅基负极材料及其制备方法 [P].

胡毅 ;

陈艳丽 ;

沈桢 ;

陈仁忠 ;

何霞 .

中国专利 :CN105118974A ,2015-12-02

[9]

一种纳米硅基负极材料及其制备方法和应用 [P].

李聪 ;

陈颉颃 ;

宋世湃 ;

罗兵 ;

张迪 ;

向勇 ;

蒋琰 .

中国专利 :CN119674012A ,2025-03-21

[10]

一种高容量高首效的硅基负极材料及其制备方法和应用 [P].

范霞 ;

吴昕格 ;

李长东 ;

阮丁山 ;

周游 .

中国专利 :CN116534833B ,2025-07-29

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